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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1 PMT4103/TR13	0.9600	RFQ	9780	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4103		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.92 v				9.1 v	200オーム
1N752	2.1600	RFQ	5243	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V				5.6 v	11オーム
CDLL957	2.8650	RFQ	1610	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL957		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 5.2 v				6.8 v	4.5オーム
Jan1N6663	-	RFQ	5012	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns	600 V	1 V @ 400 Ma		50 Na @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
jantx1n3043dur-1	46.6950	RFQ	7669	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3043		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 69.2 v				91 v	250オーム
CDLL0.5A20	3.1787	RFQ	6298	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA	CDLL0.5	ショットキー		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns	20 v	650 mV @ 500 Ma		10 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	500mA	50pf @ 0V、1MHz
jan1n4969d	18.6750	RFQ	5110	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4969		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 22.8 v				30 V	8オーム
Jan1n3024bur-1/tr	11.4247	RFQ	1276	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3024bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 11.4 v				15 V	14オーム
CD4109V	3.0900	RFQ	2978	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4109V	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		50 Na @ 11.4 v				15 V	100オーム
jantxv1n3035b-1	11.8800	RFQ	8041	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3035		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 32.7 v				43 v	70オーム
1N6027C	5.6250	RFQ	5651	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6027		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 99 v				130 v	950オーム
jan1n5530dur-1/tr	41.1768	RFQ	2082	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5530dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.1 v				10 v	60オーム
SMBJ5365CE3/TR13	1.0800	RFQ	6683	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5365		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 25.9 v				36 v	11オーム
jans1n5617us/tr	67.8450	RFQ	2451	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		D-5a	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5617us/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	400 V	1.6 V @ 3 a	150 ns	500 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	1a	35pf @ 12V、1MHz
jans1n4621-1/tr	55.5200	RFQ	6586	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4621-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1.7オーム
jans1n4128dur-1/tr	137.5900	RFQ	7714	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4128dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 45.6 v				60 V	400オーム
1N1343	45.3600	RFQ	7029	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1343	標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	150 v	1.3 V @ 30 a		10 µA @ 150 v	-65°C〜200°C	16a	-
jan1n4565aur-1/tr	5.3850	RFQ	1303	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4565aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200オーム
jans1n4486us/tr	151.3604	RFQ	3355	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4486us/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		250 na @ 60 v				75 v	130オーム
Jan1n4124ur-1/tr	7.8736	RFQ	7773	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4124ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 32.7 v				43 v	250オーム
CDLL5952B	7.8450	RFQ	2910	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5952		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 98.9 v				130 v	450オーム
CD4148WD	0.1350	RFQ	8350	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	死ぬ		標準		死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4148WD	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	75 v	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-55°C〜175°C	200mA	-
1N5803E3	6.0300	RFQ	8360	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		標準		軸	-			影響を受けていない	150-1N5803E3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	80 v	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
1N6492	46.9800	RFQ	8702	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/567	バルク	アクティブ			穴を通して	To-205af Metal Can	1N6492	ショットキー		to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1	高速回復= <500ns	45 v	680 mV @ 4 a		2 MA @ 45 v	-65°C〜175°C	3.6a	450pf @ 5V、1MHz
jantx1n4993	14.2500	RFQ	8050	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4993		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v				300 V	950オーム
1N5098	23.4000	RFQ	5484	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	軸			3 W	軸	-			影響を受けていない	150-1N5098	ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 98.8 v				130 v	375オーム
CDLL5257C	6.7200	RFQ	4751	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5257C	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
Jan1n758ur-1	2.1900	RFQ	1489	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-jan1n758ur-1	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V				10 v	17オーム
jantx1n3030cur-1	37.3500	RFQ	6152	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3030		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 20.6 v				27 v	35オーム
Jan1n3910r	-	RFQ	6624	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/308	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	100 V	1.4 V @ 50 a	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²