画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n4122d-1/tr | 15.1886 | ![]() | 6935 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4122d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 27.4 v | 36 v | 200オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5098 | 23.4000 | ![]() | 5484 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 3 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-1N5098 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 375オーム | |||||||||||||||||
jantxv1n5623 | 12.8250 | ![]() | 6723 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/429 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N5623 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.6 V @ 3 a | 500 ns | 500 NA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 12V、1MHz | |||||||||||||
![]() | Jan1N6489 | - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | ||||||||||||||||
jantx1n6351c | 31.8300 | ![]() | 8888 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6351c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 99 v | 130 v | 850オーム | |||||||||||||||||
![]() | cdll6355/tr | 14.8200 | ![]() | 2712 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-cdll6355/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3026b-1/tr | 10.6799 | ![]() | 6204 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3026b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N3214 | 65.8800 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3214 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3214MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜200°C | 40a | - | |||||||||||||
jan1n4969d | 18.6750 | ![]() | 5110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4969 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | Jan1n3910r | - | ![]() | 6624 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/308 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 50 a | 200 ns | -65°C〜150°C | 30a | - | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n5534bur-1/tr | 17.2900 | ![]() | 2834 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5534bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4737CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4737 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n6630 | 15.1350 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/590 | バルク | アクティブ | 穴を通して | E 、軸 | 標準 | E 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 900 V | 1.7 V @ 3 a | 50 ns | 2 µA @ 990 v | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N821AUR-1 | 4.2300 | ![]() | 6370 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N821 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||
jantxv1n3031b-1 | 11.8800 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3031 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n3042dur-1 | 56.9100 | ![]() | 6144 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3042 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | Jan1n3025d-1/tr | 19.3515 | ![]() | 6018 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3025d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | |||||||||||||||
jantx1n4971 | 6.3000 | ![]() | 1402 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4971 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | ||||||||||||||||
1N5618US/TR | 6.7500 | ![]() | 1255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5618US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||
jans1n4983us | 92.0400 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 83.6 v | 110 v | 125オーム | ||||||||||||||||||
jantxv1n4982c | 22000 | ![]() | 9351 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4982c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 76 v | 100 V | 110オーム | |||||||||||||||||
![]() | LSM180GE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 6147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | LSM180 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
Jan1n3031d-1 | 29.6550 | ![]() | 5188 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3031 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||
jantxv1n4627c-1 | 20.5650 | ![]() | 1918年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4627 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5926AE3/TR13 | - | ![]() | 8694 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5926 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | ||||||||||||||
1N825A-1 | 4.5000 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N825A-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4690E3/TR | 5.5062 | ![]() | 8288 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4690E3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 4 V | 5.6 v | ||||||||||||||||
![]() | 1N5989B | 2.0700 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5989 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N5989BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | GC1610-85 | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | - | - | - | - | 影響を受けていない | 150-GC1610-85 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5.6pf @ 4V、1MHz | シングル | 45 v | 5.5 | C0/C45 | 1700 @ 4V 、50MHz | ||||||||||||||||
![]() | CD4108 | 1.3699 | ![]() | 3921 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4108 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.65 v | 14 v | 200オーム |
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