画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL4750A/TR | 3.2319 | ![]() | 5915 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL4750A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||||
1N4970US/TR | 8.3125 | ![]() | 1318 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4970US/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 25.1 v | 33 v | 10オーム | ||||||||||||||||
1N4574a | 29.3250 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4574a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL5533C | 12.1950 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5533C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 11.7 v | 13 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMAJ4745E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 3103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4745 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||||
Jan1n754d-1 | 6.4950 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N754 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | MV21003-P00 | - | ![]() | 9080 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MV21003-P00 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.5pf @ 4V、1MHz | シングル | 30 V | 3.4 | C0/C30 | 7000 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||
jans1n4983us | 92.0400 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 83.6 v | 110 v | 125オーム | ||||||||||||||||||
![]() | CD967A | 1.6950 | ![]() | 5688 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD967A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 14 V | 18 v | 21オーム | ||||||||||||||||
1N4988 | - | ![]() | 5637 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4988 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 136.8 v | 180 v | 450オーム | ||||||||||||||||
![]() | CDLL5252C | 5.4796 | ![]() | 7209 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-CDLL5252C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5989B | 2.0700 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5989 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N5989BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | SMBJ5374B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 6140 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5374 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 54 v | 75 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT4127/TR13 | 0.9600 | ![]() | 2189 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4127 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 42.6 v | 56 v | 250オーム | ||||||||||||||
jantx1n4107d-1/tr | 18.5269 | ![]() | 4970 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4107d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 200オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5712ub | 65.0700 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | ショットキー | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1 V @ 35 Ma | - | - | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | LSM180GE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 6147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | LSM180 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3021bur-1/tr | 11.4247 | ![]() | 8242 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3021bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | |||||||||||||||
jantxv1n4627c-1 | 20.5650 | ![]() | 1918年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4627 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N6008D | 5.1900 | ![]() | 6713 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6008 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||
![]() | CDS5226D-1 | - | ![]() | 4110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5226D-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5537c-1/tr | 17.4496 | ![]() | 1256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5537c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.3 v | 17 v | 100オーム | ||||||||||||||||
![]() | CD827 | 8.2950 | ![]() | 1099 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4.83% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD827 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||
![]() | MSASC100W80HS/TR | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC100W80HS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R38100 | 33.7950 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | R38100 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
jans1n3595-1 | 52.1850 | ![]() | 4851 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N3595 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 1 Na @ 125 v | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||||||||
![]() | 1N2806B | 94.8900 | ![]() | 2790 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2806 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 50 µA @ 5.4 v | 8.2 v | 0.4オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5816 | 62.2350 | ![]() | 2946 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N5816 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 20a | 300pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4914a/tr | 93.0600 | ![]() | 7626 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4914a/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 25オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N647UR-1 | 3.9600 | ![]() | 1906年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N647 | 標準 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 Na @ 400 V | -65°C〜175°C | 400mA | - |
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