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ダイオード（ 34409）

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Jan1n758aur-1	4.4400	RFQ	1892年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N758		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8 V				10 v	17オーム
CD755D	-	RFQ	6672	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD755D	ear99	8541.10.0050	223			1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V				7.5 v	6オーム
1N4929	-	RFQ	2794	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-25°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									19.2 v	36オーム
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jantxv1n4484us/tr	17.7750	RFQ	9777	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantxv1n4484us/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		250 Na @ 49.6 v				62 v	80オーム
BZV55C3V6	2.9400	RFQ	8118	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±6％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	BZV55C3V6			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				3.6 v
S306010F	49.0050	RFQ	4639	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S306010F			1
cdll5545/tr	5.9052	RFQ	3330	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5545/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 24 V				30 V	100オーム
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2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²