画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT5956E3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 4747 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5956 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 152 v | 200 v | 1200オーム | |||||||||
jantx1n4100d-1/tr | 17.1969 | ![]() | 6815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4100d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | jantxv1n6341cus | 57.1050 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6341cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 39 v | 51 v | 85オーム | |||||||||||
1N6320US/TR | 13.9916 | ![]() | 7057 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6320US/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | 1N4693E3/TR | 3.8171 | ![]() | 7713 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | - | - | 500 MW | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4693E3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5.7 v | 7.5 v | ||||||||||||
![]() | BZV55C3V9 | 2.9550 | ![]() | 4008 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | BZV55C3V9 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | |||||||||||
![]() | jans1n4106ur-1/tr | 46.3100 | ![]() | 7508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4106ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||
![]() | jantx1n4099dur-1/tr | 30.4703 | ![]() | 6973 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4099dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 200オーム | ||||||||||
jantxv1n4462us | - | ![]() | 6135 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 2.5オーム | |||||||||||
1N5944bur-1 | 4.5300 | ![]() | 6284 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N5944 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||
![]() | S2115 | 33.4500 | ![]() | 4567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S2115 | 1 | |||||||||||||||||||||||
1N6325US | 16.4400 | ![]() | 557 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6325 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8.5 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||
1N4907A | 106.1400 | ![]() | 4761 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N4907 | 400 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n4982dus/tr | 460.3500 | ![]() | 9066 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jans1n4982dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 76 v | 100 V | 110オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5519bur-1 | 6.4800 | ![]() | 4262 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5519 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||
![]() | jans1n4493d | 343.5150 | ![]() | 7926 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4493d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700オーム | |||||||||||
![]() | 1N713A | 1.9200 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N713 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5937A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 5334 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5937 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||
![]() | 1N4494 | 10.5750 | ![]() | 9655 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N4494 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4494MS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 128 v | 160 v | 1000オーム | |||||||||
![]() | jantx1n3822c-1/tr | 19.6175 | ![]() | 3065 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3822c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | ||||||||||
jantx1n4099c-1/tr | 11.4380 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4099c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | jan1n5711ubcc | 84.8400 | ![]() | 5679 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | ショットキー | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65°C〜150°C | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
jantxv1n4991dus | 112.9500 | ![]() | 2401 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 182 v | 240 v | 650オーム | ||||||||||||
![]() | 1N7055UR-1/TR | 9.4500 | ![]() | 8061 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ear99 | 8541.10.0050 | 102 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4121E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 9259 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4121 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25.08 v | 33 v | 200オーム | |||||||||
![]() | jantxv1n4247 | 8.9100 | ![]() | 6508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/286 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N4247 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||
![]() | 1N5344B/TR12 | 2.6850 | ![]() | 5472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5344 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.9 v | 8.2 v | 1.5オーム | |||||||||
![]() | SMBG5351B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5351 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 10.1 v | 14 v | 2.5オーム | |||||||||
![]() | 51HQ035 | 169.3350 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 51hq035ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 35 v | 600 mV @ 60 a | 2 MA @ 35 v | -65°C〜150°C | 60a | - | |||||||||
1N824/tr | 3.9150 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N824/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム |
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