画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n4371a-1 | 2.9400 | ![]() | 8728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4371 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3018c-1/tr | 27.1187 | ![]() | 2695 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3018c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3027B-1 | 8.1900 | ![]() | 5128 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3027 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | |||||||||||
![]() | jan1n4099cur-1 | 22.3200 | ![]() | 8656 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4099 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n3824aur-1/tr | 14.2310 | ![]() | 2196 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3824aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||
1N983A | 2.0700 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N983 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 62.2 v | 82 v | 330オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n4114dur-1 | 147.2700 | ![]() | 4459 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | 150オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4781a/t r | 33.2250 | ![]() | 3216 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4781a/t r | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | MBR6045PTE3/TU | 2.0100 | ![]() | 3757 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | チューブ | アクティブ | MBR6045 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
jantxv1n4993dus | 74.2350 | ![]() | 3286 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 228 v | 300 V | 950オーム | ||||||||||||||
![]() | jan1n4627cur-1/tr | 15.0024 | ![]() | 3626 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4627cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | ||||||||||||
jantx1n6315dus | 55.6050 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6315 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | Jan1N5420 | 9.1200 | ![]() | 9203 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/411 | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 1N5420 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 9 a | 400 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | CDLL4780 | 18.2400 | ![]() | 6278 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | CDLL4780 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | cdll5278d/tr | 8.5950 | ![]() | 1377 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AA | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5278D/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 123 v | 170 v | 1900オーム | ||||||||||||||
1N4477US | 11.3550 | ![]() | 7108 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4477 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 26.4 v | 33 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | Jan1n3039dur-1 | 40.7250 | ![]() | 9793 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3039 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||
1N821A | 3.9200 | ![]() | 827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N821 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||
1N829A-1 | 8.5800 | ![]() | 110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||
![]() | 689-3p | - | ![]() | 4587 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | シャーシマウント | nd 、モジュール | 689-3 | 標準 | nd | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 15a | 1.2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µA @ 300 V | 150°C (最大) | |||||||||
1N759 | 2.1600 | ![]() | 2046 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 12 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n945bur-1/tr | - | ![]() | 2959 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n945bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||
Jan1n6316dus | 48.9150 | ![]() | 5594 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6316 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 17オーム | |||||||||||||
Jan1n4135d-1 | 13.1400 | ![]() | 8156 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4135 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 76 v | 100 V | 1600オーム | |||||||||||||
![]() | 1n4115ur-1/tr | 3.9400 | ![]() | 7796 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 249 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.8 v | 22 v | 150オーム | |||||||||||||||
Jan1n751c-1 | 5.1900 | ![]() | 2036 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N751 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n3995ra | - | ![]() | 2318 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 50 µA @ 1 V | 4.7 v | 1.2オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n4134dur-1/tr | 32.0663 | ![]() | 3762 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4134dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.2 v | 91 v | 1200オーム | ||||||||||||
jantx1n6488us | - | ![]() | 4043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||
1N4709/tr | 3.6575 | ![]() | 5762 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4709/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 18.2 v | 24 v |
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