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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
R38100	33.7950	RFQ	1063	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					R38100				-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1
1N5990D	5.1900	RFQ	5681	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5990		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V				3.9 v	90オーム
1N821-1/TR	3.9600	RFQ	8709	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N821-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15オーム
1N5273BUR-1/TR	4.7747	RFQ	5307	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5273BUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 91 v				120 v	900オーム
1N5537B	3.0900	RFQ	7926	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5537		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.3 v				17 v	104オーム
jans1n4126ur-1	48.9900	RFQ	2811	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 38.8 v				51 v	300オーム
Jan1n6333	9.9000	RFQ	8532	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6333		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 18 V				24 v	24オーム
jantxv1n4127dur-1	36.0000	RFQ	9163	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4127		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v				56 v	300オーム
Jan1N6640	6.7800	RFQ	5726	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/609	バルク	アクティブ			穴を通して	d 、軸	1N6640	標準		D-5d	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns	50 v	1 V @ 300 Ma	4 ns	100 Na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N4764AUR	-	RFQ	3589	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N4764		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 76 v				100 V	350オーム
1N4929	-	RFQ	2794	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-25°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									19.2 v	36オーム
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SMBJ5385A/TR13	1.6350	RFQ	7455	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5385		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 122 v				170 v	380オーム
Jan1n4481us	10.8150	RFQ	9292	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4481		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 mA		50 Na @ 37.6 v				47 v	50オーム
UFR3150	94.5300	RFQ	6793	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		do-203aa	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	500 V	1.25 V @ 30 a	50 ns		175°C （最大）	30a	115pf @ 10V、1MHz
BZV55C5V6	3.1400	RFQ	272	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±7％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	BZV55C5V6			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V				5.6 v
CD4777	18.4950	RFQ	9505	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4777	ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	350オーム
1N827AUR-1	10.2900	RFQ	3240	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N827		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	10オーム
jantx1n971c-1/tr	5.8121	RFQ	9291	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n971c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 21 V				27 v	41オーム
CDLL3826	10.1250	RFQ	1378	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3826		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V				5.1 v	7オーム
1N5834	57.4200	RFQ	5340	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N5834	ショットキー		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5834MS	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	40 v	590 mV @ 40 a		20 ma @ 40 v	-65°C〜125°C	40a	-
1N6075	15.1650	RFQ	7886	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N6075	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	150 v	2.04 V @ 9.4 a	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	850ma	-
1N3274	151.2750	RFQ	7893	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3274	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3274MS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1200 v	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 1200 v	-65°C〜190°C	275a	-
Jan1n4114cur-1/tr	13.0606	RFQ	6649	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4114cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.2 v				20 v	150オーム
CD755D	-	RFQ	6672	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD755D	ear99	8541.10.0050	223			1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V				7.5 v	6オーム
jantx1n5415	7.6350	RFQ	8930	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/411	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸	1N5415	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	50 v	1.5 V @ 9 a	150 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
HSM590JE3/TR13	0.9900	RFQ	1804	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	HSM590	ショットキー		DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	90 v	800 mV @ 5 a		250 µA @ 90 V	-55°C〜175°C	5a	-
JANKCA1N4121	-	RFQ	3990	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4121	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.08 v				33 v	200オーム
jantxv1n6350us/tr	19.9234	RFQ	4300	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n6350us/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 91 v				120 v	600オーム
R2120	33.4500	RFQ	7425	マイクロチップテクノロジー	R21	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	R2120	標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	200 v	1.2 V @ 30 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜200°C	22a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²