画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N4616DUR-1 | 23.1600 | ![]() | 7237 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4616 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 1 V | 2.2 v | 1300オーム | |||||||||||||||||
![]() | KV38S2 | - | ![]() | 9379 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | - | - | - | - | 影響を受けていない | 150-KV38S2 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | - | シングル | 30 V | 11 | C11/C1 | - | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3824a-1 | 8.6100 | ![]() | 5110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | 影響を受けていない | 2266-jantx1n3824a-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N6845U3 | - | ![]() | 3758 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/682 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | ショットキー | U3 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 860 mV @ 40 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 30a | 800pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n4133dur-1 | 24.5550 | ![]() | 9632 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4133 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 66.2 v | 87 v | 1000オーム | |||||||||||||||||
1N822/tr | 4.9500 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N822/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||
jantx1n4962 | 5.8600 | ![]() | 48 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4962 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 3.5オーム | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6354us | - | ![]() | 7572 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 137 v | 180 v | 1500オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n942b-1 | - | ![]() | 7155 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N942 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | jan1n7043cat1 | 158.2350 | ![]() | 8223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/730 | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-254-3、to-254aa | 1N7043 | ショットキー | TO-254AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 100 V | 35a | 1.3 V @ 35 a | 500 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3030bur-1 | 18.0150 | ![]() | 1325 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3030 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||||
CDLL5950D | 11.7300 | ![]() | 7513 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5950 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 83.6 v | 110 v | 300オーム | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ5375BE3/TR13 | 0.8250 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5375 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 65オーム | ||||||||||||||||
![]() | cdll6334/tr | 13.1404 | ![]() | 4902 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6334/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | |||||||||||||||||
jan1n4496c | 24.3600 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4496 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N5932BPE3/TR8 | 0.9450 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5932 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | ||||||||||||||||
jantxv1n4371d-1/tr | 17.7156 | ![]() | 7026 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4371d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3595-1/tr | 3.2984 | ![]() | 2034 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/241 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3595-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 920 mV @ 100 Ma | 3 µs | 1 Na @ 125 v | -65°C〜175°C | 150ma | - | |||||||||||||||
![]() | SMBJ5342B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 5834 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5342 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 4.9 v | 6.8 v | 1オーム | ||||||||||||||||
![]() | cdll5529b/tr | 6.3042 | ![]() | 2251 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5529b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | |||||||||||||||||
jantx1n3037c-1 | 25.5600 | ![]() | 7302 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3037 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | |||||||||||||||||
CDLL4756A | 3.6150 | ![]() | 5336 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL4756 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | ||||||||||||||||||
jantx1n6332 | - | ![]() | 3696 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 17 V | 22 v | 20オーム | ||||||||||||||||||
jan1n6489cus | - | ![]() | 6912 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||||||||
1N5531D | 5.6850 | ![]() | 8206 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5531D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 11 v | 80オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5350CE3/TR8 | 3.3900 | ![]() | 7348 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5350 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 9.4 v | 13 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | CDLL4700C/TR | 6.7950 | ![]() | 8080 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4700C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 139 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.8 v | 13 v | |||||||||||||||||||
![]() | R38100 | 33.7950 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | R38100 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5990D | 5.1900 | ![]() | 5681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5990 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||
1N821-1/TR | 3.9600 | ![]() | 8709 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N821-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム |
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