画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GC2510-17 | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | - | - | 影響を受けていない | 150-GC2510-17 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.4pf @ 6V、1MHz | シングル | 15 V | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | jantx1n5521b-1/tr | 5.8919 | ![]() | 6158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5521b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1.5 v | 4.3 v | 18オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5931C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5931 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13.7 v | 18 v | 12オーム | |||||||||||||||
jantx1n6632cus | - | ![]() | 4788 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jans1n4106dur-1/tr | 137.5900 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4106dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||||||||
JANKCA1N829 | - | ![]() | 9592 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n829 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6354 | - | ![]() | 2624 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/516 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 137 v | 180 v | 1500オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N2458 | 74.5200 | ![]() | 3115 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2458 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 70a | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N4756APE3/TR8 | 0.9450 | ![]() | 1715 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4756 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | HSM540JE3/TR13 | 0.9600 | ![]() | 5216 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | HSM540 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5195us | 27.0900 | ![]() | 4237 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/118 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-jan1n5195us | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 180 v | 1 V @ 100 MA | 5 µA @ 180 v | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N3826A-1 | - | ![]() | 2495 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3826 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n6874utk2cs/tr | 521.6100 | ![]() | 9255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6874utk2cs/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||
1N825-1 | 4.4400 | ![]() | 7218 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N825 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n6489d | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||||||
jans1n4957/tr | 104.1000 | ![]() | 2601 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4957/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||||||
![]() | APT60DF20HJ | - | ![]() | 5052 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.15 V @ 60 a | 250 µA @ 200 V | 90 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | jans1n6324c | 280.2750 | ![]() | 8342 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 v | 6オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n4118ur-1/tr | 7.8736 | ![]() | 3196 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4118ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 20.5 v | 27 v | 150オーム | |||||||||||||||||
![]() | CDLL5524C | 12.1950 | ![]() | 1317 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5524C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3.5 v | 5.6 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | MSASC75H100F/TR | - | ![]() | 8219 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC75H100F/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4621ur-1 | - | ![]() | 4954 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | ||||||||||||||||
![]() | CDLL4696E3 | 3.4950 | ![]() | 3665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | DO-213AA | CDLL4696 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.9 v | 9.1 v | ||||||||||||||||
![]() | APT2X101DQ120J | 27.6500 | ![]() | 7428 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT2X101 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1200 v | 100a | 3 V @ 100 a | 385 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | jantx1n6658 | 298.6050 | ![]() | 3102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 標準 | TO-254 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.2 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | - | 15a | 150pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||||
jantxv1n3029d-1 | 36.2100 | ![]() | 6465 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3029 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | ||||||||||||||||
![]() | janhca1n4627c | - | ![]() | 2185 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4627c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1N6673 | - | ![]() | 1633 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/617 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 標準 | TO-254 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.55 V @ 20 a | 35 ns | 50 µA @ 320 v | - | 15a | 150pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | CD5340B | 5.0274 | ![]() | 4724 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | 死ぬ | 5 W | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5340B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 v | 1オーム | ||||||||||||||||
![]() | jan1n6333cus | 63.7050 | ![]() | 9312 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6333cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 18 V | 24 v | 24オーム |
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