画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n5522d-1 | 17.6700 | ![]() | 6146 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5522 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||
UES1003SM-1 | 24.1650 | ![]() | 7784 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-US1003SM-1 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 975 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | 1N2839A | 94.8900 | ![]() | 2796 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2839 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 79.8 v | 105 v | 25オーム | |||||||||
1n5538d/tr | 14.4000 | ![]() | 5546 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5538D/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.2 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | cdll5237/tr | 2.7132 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5237/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||
![]() | Jan1n3034b-1/tr | 8.3524 | ![]() | 5279 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3034b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||
![]() | CD4099V | 3.0900 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4099V | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 5.17 v | 6.8 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | 1N5942B | 3.4050 | ![]() | 2933 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5942 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 38.8 v | 51 v | 70オーム | ||||||||||
jantxv1n4128c-1 | 23.1600 | ![]() | 1108 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4128 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 45.6 v | 60 V | 400オーム | ||||||||||
![]() | 1N3322B | - | ![]() | 1401 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3322 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 18.2 v | 25 v | 2.7オーム | |||||||||
![]() | jan1n4582aur-1/tr | 9.8250 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4582aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | 1N4739UR | 3.4650 | ![]() | 9584 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-1N4739UR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | 1N4112 | 2.4450 | ![]() | 8968 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N4112 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2266-1N4112 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4735CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4735 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||
1N959BE3 | 3.8100 | ![]() | 9481 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N959 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 6.5オーム | ||||||||||
![]() | SMBJ4752E3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4752 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||
![]() | 1N3322RB | - | ![]() | 1242 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3322 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 18.2 v | 25 v | 2.7オーム | |||||||||
CDLL5926B | 3.8100 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5926 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | ||||||||||
![]() | SMBJ4751A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 2563 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4751 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||
jans1n4100d-1/tr | 94.7100 | ![]() | 7420 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4100d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 200オーム | |||||||||||
jantx1n3600 | 4.5750 | ![]() | 5657 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/231 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | R30640 | 40.6350 | ![]() | 8518 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | R306 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | R30640 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 70a | - | |||||||||
![]() | jantxv1n4996 | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 297 v | 390 v | 1800オーム | ||||||||||||
![]() | SMAJ4733E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ473 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | |||||||||
jans1n5618 | 47.5350 | ![]() | 3086 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||
CDLL5947B | 3.9300 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5947 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62.2 v | 82 v | 160オーム | ||||||||||
jantx1n4967cus | 24.6000 | ![]() | 1972年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4967 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 18.2 v | 24 v | 5オーム | ||||||||||
![]() | UFS550GE3/TR13 | 2.3700 | ![]() | 1761 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | UFS550 | 標準 | DO-215AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.2 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜175°C | 5a | - | |||||||
![]() | CDLL6012 | 2.7150 | ![]() | 2853 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | CDLL6012 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
jans1n4115c-1/tr | 63.1902 | ![]() | 4486 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4115c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.8 v | 22 v | 150オーム |
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