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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jans1n4985us | 92.0400 |  | 1541 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 98.8 v | 130 v | 190オーム | |||||||||||
 | JANTX1N3023DUR-1 | 46.6950 | | 4218 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1N3023 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | |||||||||
| JANTX1N6638U | 7.0050 | | 2839 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/578 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 1N6638 | 標準 | D-5B | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 125 v | 1.1 V @ 200 mA | 4.5 ns | 500 NA @ 125 v | -65°C〜175°C | 300mA | - | |||||||
 | jantx1n2822b | - | | 8111 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2822 | 10 W | TO-204AD（to-3） | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 2.8オーム | ||||||||||
 | SMBJ5375BE3/TR13 | 0.8250 | | 7255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5375 | 5 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 65オーム | |||||||||
| SMBG5381A/T R13 | 2.2200 | | 8403 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5381 | 5 W | SMBG （DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 93.6 v | 130 v | 190オーム | |||||||||
 | jantx1n4465us | 15.5000 | | 198 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1N4465 | 1.5 w | MELF 、D5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 300 na @ 8 v | 10 v | 5オーム | |||||||||
 | jan1n4460us | 10.4550 | | 5140 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4460 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 3.72 v | 6.2 v | 4オーム | |||||||||
| CD5250D | - | | 5662 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD5250D | ear99 | 8541.10.0050 | 233 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | |||||||||||
 | 1N4745P/TR8 | 1.8600 | | 4789 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | |||||||||
 | 1N5946B | 3.4050 | | 5308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5946 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5946BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | |||||||||
 | jantx1n4975 | 7.4200 | | 460 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4975 | 5 W | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 38.8 v | 51 v | 27オーム | |||||||||
 | 1 PMT5944AE3/TR7 | 0.7350 | | 1665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5944 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | |||||||||
| 1N5348BE3/TR12 | 2.6850 | | 3687 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5348 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 v | 2.5オーム | |||||||||
| jan1n6632dus | - | | 4465 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3オーム | |||||||||||
| 1 PMT5952E3/TR7 | 0.7350 | | 2750 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5952 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 450オーム | |||||||||
 | 1N5926bur-1 | 4.0650 | | 2295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N5926 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | |||||||||
| 1 PMT5930/TR13 | 2.2200 | | 2731 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5930 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 10オーム | |||||||||
 | 1N6334 | 8.4150 | | 2533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6334 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | ||||||||||
| jans1n4956cus/tr | 462.1650 | | 8106 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jans1n4956cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 1.5オーム | ||||||||||||
| 1N2813RB | - | | 8511 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2813 | 50 W | TO-204AD（to-3） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 1.4オーム | |||||||||
 | 1N6004C | 4.1550 | | 5826 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6004 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 11 v | 15 V | 32オーム | |||||||||
| 1N4976US | 9.4650 | | 7319 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4976 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 42.6 v | 56 v | 35オーム | |||||||||
| S3490 | 49.0050 | | 2109 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S3490 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| 1N4525 | 62.1150 | | 4965 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N4525 | 標準 | do-203ab（do-5） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 40a | - | |||||||||
| jantx1n3347b | - | | 3569 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 121.6 v | 160 v | 80オーム | |||||||||||
| SMBJ5929A/TR13 | 1.5600 | | 1391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5929 | 2 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 9オーム | |||||||||
 | CD5250B | 1.4497 | | 7524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5250B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||
| jantxv1n6762 | - | | 1719 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 標準 | TO-254 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.05 V @ 12 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | - | 12a | 300pf @ 5V、1MHz | |||||||||
| 1N5833 | 57.4200 | | 9304 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N5833 | ショットキー | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5833MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 40 a | 20 mA @ 30 v | -65°C〜125°C | 40a | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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