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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | cdll5533/tr | 5.9052 |  | 7949 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5533/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 10.5 v | 13 v | 90オーム | |||||||||
 | jantxv1n5712ubd | 118.6800 | | 4580 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | ショットキー | ub | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 16 v | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
 | 1N2131 | 74.5200 | | 2193 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5（do-203ab） | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2131 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 70a | - | |||||||||
 | jantxv1n963b-1/tr | 3.2186 | | 4487 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n963b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | |||||||||
 | jan1n5537cur-1/tr | 25.7887 | | 5336 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5537cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.3 v | 17 v | 100オーム | |||||||||
| GMV15006-GM1 | 8.9250 | | 3893 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-GMV15006-GM1 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||
| jantx1n825ur-1 | 7.0500 | | 6845 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N825 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||
| 1N3156-1 | 31.5600 | | 2240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N3156 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 v | 8.4 v | 15オーム | ||||||||||
| jantxv1n4113cur-1 | 28.8000 | | 8043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N4113 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.5 v | 19 v | 150オーム | ||||||||
 | jan1n4461cus | 26.7600 | | 2326 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4461 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4.08 v | 6.8 v | 2.5オーム | ||||||||
| 1N5938bur-1/tr | 3.3915 | | 3363 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1.25 w | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5938bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | |||||||||
| Jan1n4570aur-1 | 5.2200 | | 9246 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N4570 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | |||||||||
| jan1n2804b | - | | 2194 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2804 | 50 W | TO-204AD（to-3） | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 150 µA @ 4.5 v | 6.8 v | 0.2オーム | |||||||||
| jans1n4973d | 374.1920 | | 6593 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4973d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
| jantx1n5534c-1/tr | 17.0240 | | 2865 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5534c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | |||||||||
| 1N992B-1/TR | 10.2900 | | 8487 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | 影響を受けていない | 150-1N992B-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 152 v | 200 v | 2500オーム | ||||||||||
| 1N5711UBD | 32.2050 | | 8417 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | ショットキー | ub | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65°C〜150°C | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
 | 1N4582A-1/TR | 7.5300 | | 5934 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4582A-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | ||||||||||
| jans1n4980dus/tr | 460.3500 | | 3615 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jans1n4980dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 62.2 v | 82 v | 80オーム | |||||||||||
 | 1 PMT4105CE3/TR13 | 0.4950 | | 7739 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4105 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 8.44 v | 11 v | 200オーム | ||||||||
| SBR6030LE3 | 123.0900 | | 5427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SBR6030LE3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 480 mV @ 60 a | 5 ma @ 30 v | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||
| cdll5520d/tr | 16.3950 | | 4464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5520d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22オーム | ||||||||||
 | CDLL4743C/TR | 7.7100 | | 7892 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4743C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 123 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||
| 1n4743aur/tr | 3.6200 | | 6810 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||
| cdll937a/tr | 8.9250 | | 9911 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -55°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll937a/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20オーム | |||||||||||
| jan1n6940utk3cs | - | | 7206 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | sic （炭化シリコン）ショットキー | Thinkey™3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 15 V | 500 mV @ 150 a | 5 ma @ 15 v | -65°C〜175°C | 150a | ||||||||||
 | 1N4734APE3/TR8 | 0.9450 | | 4077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4734 | 1 W | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | ||||||||
| jantxv1n990bur-1 | - | | 5777 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 122 v | 160 v | 1700オーム | ||||||||||
| UPS130L/TR7 | 0.6150 | | 4998 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | UPS130 | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||
| 1N5250A/TR | 2.6334 | | 6597 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C（タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5250A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 14.3 v | 20 v | 25オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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