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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
cdll4572a/tr	9.6450	RFQ	7184	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜100°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4572A/TR	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V							100オーム
jantxv1n4624d-1/tr	16.5186	RFQ	6787	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4624d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						4.7 v	1550オーム
Jan1N5419	8.4300	RFQ	5002	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/411	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸	1N5419	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		500 V		1.5 V @ 9 a	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
SMBJ5380AE3/TR13	0.8100	RFQ	1406	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5380		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 86.4 v						120 v	170オーム
1N4106UR-1/TR	3.5644	RFQ	3065	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4106UR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.2 v						12 v	200オーム
ST6080A	78.9000	RFQ	3982	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	ST60	標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-ST6080A	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	800 V	20a	1 V @ 30 a		10 µA @ 800 V	-65°C〜175°C
jantx1n3154ur-1	-	RFQ	7063	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/158	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 v						8.4 v	15オーム
1N944	33.1350	RFQ	4354	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N944		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V						11.7 v	30オーム
1N6776	302.0100	RFQ	6247	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-257-3		標準		TO-257	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		150 v		1.15 V @ 15 a	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V、1MHz
jantx1n4570aur-1/tr	6.1200	RFQ	4278	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4570aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						3 v	100オーム
1N5229A	1.8600	RFQ	7115	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5229		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.3 v	22オーム
1 PMT4111C/TR7	1.2450	RFQ	1539	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4111		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.92 v						17 v	100オーム
JANTX1N5539CUR-1	37.7850	RFQ	4506	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5539		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 17.1 v						19 v	100オーム
1N3340B	49.3800	RFQ	3474	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3340		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 76 v						100 V	20オーム
1N2817B	94.8900	RFQ	9353	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2817		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 14.4 v						19 v	2.2オーム
jantxv1n4483cus	45.1350	RFQ	2805	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4483cus	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 v						56 v	70オーム
jantx1n6343c	29.2350	RFQ	5144	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantx1n6343c	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 47 v						62 v	125オーム
KV2131-00	-	RFQ	9468	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-KV2131-00	ear99	8541.10.0040	1										0.5pf @ 20V、1MHz	シングル	22 v			4.3	C4/C20	850 @ 4V、50MHz
APT60D20bg	3.6300	RFQ	2833	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	APT60D20	標準		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 60 a	31 ns	250 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	60a	-
1N5519D	5.6850	RFQ	2200	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5519D	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V						3.6 v	24オーム
1N4739UR-1	3.4650	RFQ	4064	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-1N4739UR-1	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 v	5オーム
1N4687UR-1	5.0850	RFQ	8330	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4687		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 MA		4 µA @ 2 V						4.3 v
R42100TS	59.8350	RFQ	7499	マイクロチップテクノロジー	R42	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	R42100	標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1000 V		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1000 V	-65°C〜200°C	125a	-
SMBG5357C/TR13	2.8650	RFQ	3471	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5357		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 14.4 v						20 v	3オーム
jan1n4460d	25.4550	RFQ	4444	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4460		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		10 µA @ 3.72 v						6.2 v	4オーム
jan1n4125dur-1	27.9150	RFQ	3634	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4125			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.8 v						47 v	250オーム
1N1185R	74.5200	RFQ	9688	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1185	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N1185RMS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		150 v		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 150 v	-65°C〜200°C	40a	-
1N6885UTK4	259.3500	RFQ	1753	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-1N6885UTK4			1
jans1n4983cus	343.6210	RFQ	6810	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4983cus	ear99	8541.10.0050	1
CDLL4904A	27.5850	RFQ	7239	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4904		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V						12.8 v	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²