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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jantxv1n6333cus/tr	57.2550	RFQ	5539	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantxv1n6333cus/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 18 V						24 v	24オーム
GC1611-85	-	RFQ	7769	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	-	-				-	-			影響を受けていない	150-GC1611-85	ear99	8541.10.0060	1								6.8pf @ 4V、1MHz	シングル	45 v				5.5	C0/C45	1700 @ 4V 、50MHz
HSM390JE3/TR13	1.0200	RFQ	1435	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	HSM390	ショットキー		DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	90 v	810 mv @ 3 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜175°C	3a	-
S42140F	57.8550	RFQ	2462	マイクロチップテクノロジー	S42	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	S42140	標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1400 v	1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1400 v	-65°C〜200°C	125a	-
SMBJ5365B/TR13	1.6650	RFQ	9645	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5365		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 25.9 v						36 v	11オーム
jantx1n4622cur-1/tr	20.6815	RFQ	2045	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4622cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					2.5 µA @ 2 V						3.9 v	1650オーム
HSM360JE3/TR13	1.0500	RFQ	9914	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	HSM360	ショットキー		DO-214AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	60 V	620 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜175°C	3a	-
1N2998A	36.9900	RFQ	8826	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N2998		10 W	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		10 µA @ 39 v						52 v	15オーム
1N821E3	3.9150	RFQ	1387	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N821E3	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
JANTX1N5622	6.4600	RFQ	4581	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5622	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1000 V	1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C〜200°C	1a	-
1 PMT5927B/TR7	2.2200	RFQ	1779	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5927		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム
UFT3060	62.1000	RFQ	5111	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3		標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-UFT3060	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	600 V	930 mv @ 15 a	35 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	30a	140pf @ 10V、1MHz
1N4112-1/TR	2.3408	RFQ	2280	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4112-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13.7 v						18 v	100オーム
GC4964-12	-	RFQ	8712	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-		2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-GC4964-12			1								-	-	-			-
CDLL4478	11.3550	RFQ	2921	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4478		1.5 w	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 mA		50 Na @ 28.8 v						36 v	27オーム
1N3314B	49.3800	RFQ	1255	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3314		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µA @ 11.4 v						15 V	1.4オーム
jantxv1n4475us/tr	17.7750	RFQ	6037	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantxv1n4475us/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		50 Na @ 21.6 v						27 v	18オーム
1N5245D	5.3200	RFQ	9182	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5245D	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		100 na @ 11 v						15 V	16オーム
1N5259B/TR	2.0349	RFQ	8540	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5259B/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V						39 v	80オーム
janhca1n755a	7.2618	RFQ	5093	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n755a	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V						7.5 v	6オーム
Jan1N4968	6.0000	RFQ	5092	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4968		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 20.6 v						27 v	6オーム
jantxv1n3029b-1/tr	10.6799	RFQ	3282	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3029b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
1 PMT5926A/TR13	2.2200	RFQ	7261	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5926		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v						11 v	5.5オーム
CDLL5249	2.8650	RFQ	4679	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5249			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V						19 v	23オーム
jan1n6942utk3cs/tr	408.7950	RFQ	1068	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		sic （炭化シリコン）ショットキー		Thinkey™3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n6942utk3cs/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	45 v	460 mV @ 50 a		5 ma @ 45 v	-65°C〜175°C	150a	7000pf @ 5V、1MHz
jantx1n5968	-	RFQ	1940年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N5968		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		5000 µA @ 4.28 v						5.6 v	1オーム
jankca1n751d	-	RFQ	3044	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jankca1n751d	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 v	17オーム
1N5525BE3/TR	2.4450	RFQ	2539	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5525BE3/TR	ear99	8541.10.0050	391			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5 V						6.2 v	30オーム
1N5734B	-	RFQ	7415	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5734		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V						8.2 v	15オーム
jantxv1n968d-1/tr	10.0149	RFQ	9582	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n968d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 15 V						20 v	25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²