画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jan1n4572aur-1/tr | 10.0800 | ![]() | 9043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4572aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | |||||||||||||
UES1304SM | 49.7550 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | - | 5a | - | ||||||||||||
![]() | SMBJ5943AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5943 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5927E3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 1372 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5927 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||||
![]() | jan1n4112cur-1/tr | 13.0606 | ![]() | 8154 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4112cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | |||||||||||||
Jan1n969d-1 | 5.4900 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N969 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||
1N6325 | 8.4150 | ![]() | 1567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6325 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8.5 v | 11 v | 7オーム | |||||||||||||
jan1n6335us | 13.4700 | ![]() | 2738 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6335 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 23 V | 30 V | 32オーム | ||||||||||||
![]() | HSM590G/TR13 | 2.0100 | ![]() | 7256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | HSM590 | ショットキー | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 5 a | 250 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | JTXM19500/469-04 | 464.1150 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | JTXM19500 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n4129d | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4129d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | |||||||||||||
![]() | 1N2977B | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N2977 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | ST3020A | 63.3000 | ![]() | 5647 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | ST3020 | 標準 | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-st3020a | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 15a | 1.2 V @ 15 a | 5 µs | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | ||||||||||
![]() | 1N4138 | 62.1150 | ![]() | 5603 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4138 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 600 V | -65°C〜200°C | 70a | - | ||||||||||||
![]() | Jan1N3768 | - | ![]() | 9042 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/297 | バルク | sicで中止されました | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.4 V @ 110 a | 10 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||||||
![]() | 1N756AUR-1 | 3.0300 | ![]() | 3754 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||
jantx1n6339d | 39.7950 | ![]() | 8479 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6339d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 33 v | 43 v | 65オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N3621 | 44.1600 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | - | 影響を受けていない | 150-1N3621 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 16a | - | ||||||||||||
![]() | 1N3900 | 48.5400 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3900 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 63 a | 200 ns | 50 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 20a | 150pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
![]() | CDLL5245D | 6.9150 | ![]() | 8399 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5245D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||
Jan1n5543d-1 | 13.8000 | ![]() | 4358 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5543 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.4 v | 25 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n3017dur-1/tr | 36.2558 | ![]() | 9393 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3017dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | LSM540JE3/TR13 | 0.5700 | ![]() | 9191 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | LSM540 | ショットキー | DO-214AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 520 mV @ 5 a | 2 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | CDS5535CUR-1/TR | 471.1800 | ![]() | 9738 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5535CUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CD5249B | 1.4497 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5249B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n3332b | - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/158 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3332 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 38.8 v | 51 v | 5.2オーム | |||||||||||
![]() | 1N5825 | 55.6000 | ![]() | 97 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 1N5825 | ショットキー | シルクハット | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 380 mV @ 5 a | 10 ma @ 40 v | 5a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n4614-1/tr | 4.4156 | ![]() | 1199 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4614-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n754aur-1/tr | 6.7830 | ![]() | 5696 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n754aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | cdll5250b/tr | 2.0216 | ![]() | 4043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5250b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム |
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