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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
JAN1N5527C-1	14.1300	RFQ	8648	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5527		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.8 v						7.5 v	35オーム
1N5419/tr	5.7900	RFQ	4122	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5419/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		500 V		1.5 V @ 9 a	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
jantxv1n3029bur-1/tr	16.1196	RFQ	1078	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3029bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
1 PMT5925C/TR13	2.7600	RFQ	5569	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5925		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8 V						10 v	4.5オーム
1N3292	93.8550	RFQ	7033	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	1N3292	標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3292ms	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		500 V		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 500 V	-65°C〜200°C	100a	-
1N5226A	2.7150	RFQ	7794	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5226		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		25 µA @ 950 mV						3.3 v	28オーム
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jan1n6334dus	38.2200	RFQ	9385	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jan1n6334dus	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 21 V						27 v	27オーム
jantxv1n6642us	9.6150	RFQ	4390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf e	1N6642	標準		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns		100 V		1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 100 V	-65°C〜175°C	300mA	-
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JANTX1N4626DUR-1	30.4050	RFQ	5171	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4626		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 4 V						5.6 v	1400オーム
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Jan1n989dur-1	-	RFQ	6363	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 114 v						150 v	1500オーム
jantxv1n962b-1	-	RFQ	1208	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v						11 v	9.5オーム
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1N3880R	50.8800	RFQ	5683	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N3880	標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3880RMS	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		1.4 V @ 20 a	200 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	6a	115pf @ 10V、1MHz
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jan1n3821dur-1/tr	39.9266	RFQ	7246	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3821dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3.3 v	10オーム
jantxv1n989dur-1/tr	-	RFQ	2348	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	-				150-jantxv1n989dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 114 v						150 v	1500オーム
1N963a	2.4000	RFQ	3592	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N963		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 9.1 v						12 v	11.5オーム
1N5943CP/TR12	2.2800	RFQ	1100	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5943		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 42.6 v						56 v	86オーム
jantxv1n4954cus	33.8250	RFQ	5676	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4954		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v						6.8 v	1オーム
janhca1n5529b	6.7564	RFQ	3145	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n5529b	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 8.2 v						9.1 v	45オーム
1N5368BE3/TR12	2.6850	RFQ	4508	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5368		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 33.8 v						47 v	25オーム
JANTX1N6326C	34.6650	RFQ	4493	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6326		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		1 µA @ 9 V						12 v	7オーム
jantxv1n5807	15.3750	RFQ	8944	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸	1N5807	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		50 v		875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	65pf @ 10V、1MHz
GC4965-12	-	RFQ	2437	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-		2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-GC4965-12			1										-	-	-			-
CDLL5277	3.5850	RFQ	8063	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AA				DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5277	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 116 v						160 v	1700オーム
MBR3050CTE3/TU	1.1700	RFQ	4859	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR3050	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	15a	750 mV @ 15 a		50 µA @ 50 V	-65°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²