SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
JAN1N6334DUS Microchip Technology jan1n6334dus 38.2200
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±1% -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 500 MW B、sq-melf - 影響を受けていない 150-jan1n6334dus ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 21 V 27 v 27オーム
S53140TS Microchip Technology S53140TS 158.8200
RFQ
ECAD 4885 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-S53140TS 1
1N5711UR-1E3 Microchip Technology 1N5711UR-1E3 11.2500
RFQ
ECAD 1355 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/444 バルク アクティブ 表面マウント DO-213AA ショットキー DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 15 mA 200 Na @ 50 V -65°C〜150°C 33ma 2PF @ 0V、1MHz
HSM390G/TR13 Microchip Technology HSM390G/TR13 1.6350
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-215ab 、mcガルウィング HSM390 ショットキー DO-215AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 90 v 810 mv @ 3 a 100 µA @ 90 V -55°C〜175°C 3a -
1N6080US Microchip Technology 1N6080US -
RFQ
ECAD 4652 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク sicで中止されました 表面マウント sq-melf g 標準 g-melf(D-5c) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 1.5 V @ 37.7 a 30 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜155°C 2a -
1PMT5948B/TR7 Microchip Technology 1 PMT5948B/TR7 2.2200
RFQ
ECAD 5911 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT5948 3 W DO-216AA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 69.2 v 91 v 200オーム
1N2230 Microchip Technology 1N2230 44.1600
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 (DO-203AA) ダウンロード 影響を受けていない 150-1N2230 ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 200 v 1.3 V @ 30 a 10 µA @ 200 v -65°C〜200°C 5a -
CDS5522BUR-1 Microchip Technology CDS5522bur-1 -
RFQ
ECAD 6737 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-CDS5522Bur-1 ear99 8541.10.0050 50
1N4745CP/TR8 Microchip Technology 1N4745CP/TR8 2.2800
RFQ
ECAD 6352 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4745 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 12.2 v 16 v 16オーム
1N6761UR-1 Microchip Technology 1N6761UR-1 99.2400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/586 バルク アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) ショットキー do-213ab - 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 690 mV @ 1 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 70pf @ 5V、1MHz
JANTX1N5614 Microchip Technology jantx1n5614 5.7900
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/427 バルク アクティブ 穴を通して A 、軸 1N5614 標準 A 、軸 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 200 v 1.3 V @ 3 a 2 µs 500 NA @ 200 V -65°C〜200°C 1a -
1N4532UR Microchip Technology 1N4532UR 2.7450
RFQ
ECAD 9291 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 穴を通して do-204ag 1N4532 標準 DO-34 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 50 v 1 V @ 10 mA 30 ns 100 Na @ 50 V -55°C〜175°C 125ma -
JANTX1N4101UR-1 Microchip Technology jantx1n4101ur-1 9.0150
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N4101 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 6.24 v 8.2 v 200オーム
GC1709-00 Microchip Technology GC1709-00 -
RFQ
ECAD 8545 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 死ぬ チップ - 影響を受けていない 150-GC1709-00 ear99 8541.10.0040 1 4.7pf @ 4V、1MHz シングル 60 V 6.5 C0/C60 1400 @ 4V、50MHz
JANTX1N3826AUR-1/TR Microchip Technology jantx1n3826aur-1/tr 14.2310
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/115 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) 1 W do-213ab - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantx1n3826aur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 5.1 v 7オーム
JANS1N5809 Microchip Technology jans1n5809 47.1800
RFQ
ECAD 300 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/477 バルク アクティブ 穴を通して b 、軸 1N5809 標準 b 、軸 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 875 mV @ 4 a 30 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V、1MHz
1N3330RB Microchip Technology 1N3330RB 49.3800
RFQ
ECAD 8184 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3330 50 W DO-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 35.8 v 47 v 5オーム
1N5934BUR-1/TR Microchip Technology 1N5934bur-1/tr 4.2200
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) 1.25 w do-213ab - ear99 8541.10.0050 233 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 18.2 v 24 v 19オーム
SMBG5377B/TR13 Microchip Technology SMBG5377B/TR13 2.2500
RFQ
ECAD 6644 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント DO-215AA SMBG5377 5 W SMBG (DO-215AA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 65.5 v 91 v 75オーム
1N4731AUR Microchip Technology 1N4731AUR 3.4650
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ 1N4731 1 W DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 4.3 v 9オーム
CDLL4614 Microchip Technology CDLL4614 4.1100
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA CDLL4614 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 3.5 µA @ 1 V 1.8 v 1200オーム
1N2976RB Microchip Technology 1N2976RB -
RFQ
ECAD 7372 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク sicで中止されました ±5% -65°C〜175°C シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N2976 10 W DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 a 10 µA @ 9.1 v 12 v 3オーム
1N4569AUR-1 Microchip Technology 1N4569AUR-1 80.9550
RFQ
ECAD 9077 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 1N4569 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 200オーム
JAN1N4574A-1/TR Microchip Technology jan1n4574a-1/tr 29.2500
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/452 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n4574a-1/tr ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100オーム
1N5614US/TR Microchip Technology 1N5614US/TR 5.9550
RFQ
ECAD 6391 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント sq-melf、a 標準 D-5a ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N5614US/TR ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 200 v 1.3 V @ 3 a 2 µs 500 NA @ 200 V -65°C〜200°C 1a -
JANTX1N6333US Microchip Technology jantx1n6333us -
RFQ
ECAD 9694 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク sicで中止されました ±5% -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 500 MW B、sq-melf ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 18 V 24 v 24オーム
1N6626US/TR Microchip Technology 1n6626us/tr 12.1650
RFQ
ECAD 6324 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント sq-melf、a 標準 a-melf - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N6626US/TR ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 220 v 1.35 V @ 2 a 30 ns 2 µA @ 220 v -65°C〜150°C 1.75a 40pf @ 10V、1MHz
1N5244A Microchip Technology 1N5244a 2.0700
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10% -65°C〜175°C(タタ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) - 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 9.5 v 14 v 15オーム
CDLL963BE3 Microchip Technology CDLL963BE3 3.9600
RFQ
ECAD 6204 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA - 影響を受けていない 150-CDLL963BE3 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 9.1 v 12 v 11.5オーム
1N4249/TR Microchip Technology 1N4249/tr 6.5850
RFQ
ECAD 4898 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して A 、軸 標準 A 、軸 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 150-1N4249/tr ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1000 V 1.3 V @ 3 a 5 µs 1 µA @ 1 V -65°C〜175°C 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫