画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jan1n6334dus | 38.2200 | ![]() | 9385 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6334dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | ||||||||||||||||
![]() | S53140TS | 158.8200 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S53140TS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5711UR-1E3 | 11.2500 | ![]() | 1355 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | ショットキー | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | HSM390G/TR13 | 1.6350 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | HSM390 | ショットキー | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 810 mv @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | 1N6080US | - | ![]() | 4652 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | sq-melf g | 標準 | g-melf(D-5c) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 37.7 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5948B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 5911 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5948 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 69.2 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N2230 | 44.1600 | ![]() | 8801 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2230 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 5a | - | |||||||||||||||
![]() | CDS5522bur-1 | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5522Bur-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4745CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 6352 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N6761UR-1 | 99.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/586 | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ショットキー | do-213ab | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 690 mV @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 70pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
jantx1n5614 | 5.7900 | ![]() | 8077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N5614 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 200 V | -65°C〜200°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | 1N4532UR | 2.7450 | ![]() | 9291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ag | 1N4532 | 標準 | DO-34 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 10 mA | 30 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜175°C | 125ma | - | ||||||||||||
![]() | jantx1n4101ur-1 | 9.0150 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4101 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.24 v | 8.2 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | GC1709-00 | - | ![]() | 8545 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC1709-00 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 4.7pf @ 4V、1MHz | シングル | 60 V | 6.5 | C0/C60 | 1400 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n3826aur-1/tr | 14.2310 | ![]() | 4560 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3826aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | |||||||||||||||
![]() | jans1n5809 | 47.1800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 1N5809 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N3330RB | 49.3800 | ![]() | 8184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3330 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 35.8 v | 47 v | 5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5934bur-1/tr | 4.2200 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.25 w | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 233 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SMBG5377B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 6644 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5377 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 65.5 v | 91 v | 75オーム | ||||||||||||||
1N4731AUR | 3.4650 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N4731 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||||
![]() | CDLL4614 | 4.1100 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | CDLL4614 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N2976RB | - | ![]() | 7372 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N2976 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 9.1 v | 12 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4569AUR-1 | 80.9550 | ![]() | 9077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4569 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200オーム | |||||||||||||||||
jan1n4574a-1/tr | 29.2500 | ![]() | 4293 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4574a-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | |||||||||||||||||
1N5614US/TR | 5.9550 | ![]() | 6391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5614US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 200 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||
jantx1n6333us | - | ![]() | 9694 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 18 V | 24 v | 24オーム | ||||||||||||||||
1n6626us/tr | 12.1650 | ![]() | 6324 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6626US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 220 v | 1.35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 220 v | -65°C〜150°C | 1.75a | 40pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||
1N5244a | 2.0700 | ![]() | 7442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 9.5 v | 14 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL963BE3 | 3.9600 | ![]() | 6204 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL963BE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4249/tr | 6.5850 | ![]() | 4898 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-1N4249/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µA @ 1 V | -65°C〜175°C | 1a | - |
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