画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD3018b | 3.6043 | ![]() | 8528 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 1 W | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD3018B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 4.5オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n747aur-1/tr | 4.0831 | ![]() | 5060 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n747aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | |||||||||||||
CDLL3035A | 15.3000 | ![]() | 7909 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3035 | 1 W | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||||||
1N5260A | 2.1000 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5260 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | ||||||||||||||
![]() | GC6002-450A | - | ![]() | 5608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC6002-450A | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1PF @ 6V、1MHz | ピン -シングル | 14V | - | |||||||||||||||||
Jan1N4624-1 | 3.7500 | ![]() | 9847 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4624 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3768r | 80.8200 | ![]() | 6149 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/297 | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3768 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.4 V @ 110 a | 10 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||||||
janhca1n748d | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n748d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||||
![]() | MSASC100W45HR | - | ![]() | 2812 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™2 | ショットキー、逆極性 | Thinkey™2 | - | 影響を受けていない | 150-MSASC100W45HR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 45 v | 800 mV @ 100 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜175°C | 100a | - | |||||||||||||
![]() | 1N4105UR-1/TR | 3.5644 | ![]() | 7095 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4105UR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 8.5 v | 11 v | 200オーム | |||||||||||||
CDLL4103 | 3.5850 | ![]() | 3453 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL4103 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 9.1 v | 200オーム | |||||||||||||
janhca1n5539d | - | ![]() | 2728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n5539d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n4129dur-1/tr | 24.8843 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4129dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBG5344C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 7614 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5344 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.9 v | 8.2 v | 1.5オーム | ||||||||||||
![]() | JANKCA1N5523B | - | ![]() | 5264 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n5523b | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2.5 v | 5.1 v | 26オーム | |||||||||||||
GC4943-12 | - | ![]() | 8878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -65°C〜150°C | 2-SMD 、フラットリード | - | - | 影響を受けていない | 150-GC4943-12 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.03pf @ 10V 、2.2GHz | ピン -シングル | 50V | 3OHM @ 10MA 、2.2GHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55C20/TR | 2.7664 | ![]() | 4907 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-BZV55C20/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n5538cur-1 | 49.5150 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5538 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.2 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||
jan1n4464c | 20.3700 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4464 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 300 NA @ 5.46 v | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5926BE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5926 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N959A | 2.7150 | ![]() | 3258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N959A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 6.5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5258bur-1 | 2.8650 | ![]() | 5485 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5258 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3334b | - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 42.6 v | 56 v | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N756DUR-1 | 17.8950 | ![]() | 9794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||||
jans1n4991us | 115.5000 | ![]() | 7868 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 182 v | 240 v | 650オーム | |||||||||||||||
jan1n4973d | 18.6750 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4973 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 32.7 v | 43 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4758P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4758 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1N5774 | - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/474 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 14-cflatpack | 標準 | 14-cflatpack | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 1.5 V @ 500 Ma | 20 ns | 100 Na @ 40 V | -65°C〜150°C | 300mA | 8pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3050bur-1 | - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt30dq120kg | 1.3100 | ![]() | 340 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | APT30DQ120 | 標準 | TO-220 [k] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 320 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 30a | - |
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