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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n757cur-1/tr | 10.2410 |  | 3643 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n757cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||
 | 1 PMT4101CE3/TR13 | - | | 5486 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4101 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.24 v | 8.2 v | 200オーム | |||||||||
 | 1N5728D | 4.6800 | | 8138 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5728 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 70オーム | |||||||||
| jantxv1n4113ur-1 | 11.2500 | | 2975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N4113 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.5 v | 19 v | 150オーム | |||||||||
| 1N2975B | 36.9900 | | 8660 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N2975 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 3オーム | |||||||||
 | S42160TS | 57.8550 | | 1630 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | S42160 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 1600 v | -65°C〜200°C | 125a | - | |||||||||
 | jantxv1n976d-1 | 11.1450 | | 9728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N976 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 33 v | 43 v | 93オーム | |||||||||
 | CDLL5234A | 2.8650 | | 4463 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5234 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム | |||||||||
| jantxv1n4996us | - | | 4919 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4996 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 297 v | 390 v | 1800オーム | |||||||||
| 1N752A | 2.1750 | | 2021 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N752a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 11オーム | |||||||||||
| 1 PMT5949/TR7 | 2.2200 | | 1394 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5949 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 v | 100 V | 250オーム | |||||||||
| 1N5522bur-1/tr | 7.1421 | | 8617 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N552222225-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||
| SMBG5376CE3/TR13 | 1.4400 | | 8889 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5376 | 5 W | SMBG （DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 63 v | 87 v | 75オーム | |||||||||
 | jan1n4964/tr | 5.4663 | | 2796 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4964/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 4オーム | |||||||||||
| 1N3618 | 44.1600 | | 7600 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 （DO-203AA） | - | 影響を受けていない | 150-1N3618 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 30 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 16a | - | ||||||||||
 | cdll5545b/tr | 5.9052 | | 8381 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5545b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 27 V | 30 V | 100オーム | ||||||||||
 | SMBJ4752A/TR13 | 0.8850 | | 8838 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4752 | 2 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||
| CDLL964 | 2.8650 | | 4746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL964 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | |||||||||
 | UZ8850 | 23.3700 | | 2494 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 1 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ8850 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 36 V | 50 v | 85オーム | ||||||||||||
 | jantxv1n3034bur-1/tr | 16.1196 | | 5118 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3034bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||
 | 1N5341AE3/TR13 | 0.9900 | | 7308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5341 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 1オーム | |||||||||
| 1N3492 | 66.2550 | | 1539 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | フィットを押します | do-208aa | 標準 | DO-21 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3492 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 35 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||||||||
| CDLL5224 | 2.8650 | | 5062 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5224 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.8 v | 30オーム | |||||||||
 | jans1n6331 | 114.5850 | | 4625 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 15 V | 20 v | 18オーム | ||||||||||||
 | 1N6642UB | 17.5200 | | 5746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 標準 | ub | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 1.2 V @ 100 MA | 5 ns | - | - | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
| jantxv1n4125ur-1/tr | 10.1080 | | 9488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4125ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 35.8 v | 47 v | 250オーム | ||||||||||
| CDLL4120D | 8.9700 | | 2907 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4120D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | 200オーム | |||||||||||
| jantx1n2979rb | - | | 7143 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 3オーム | ||||||||||||
| jantxv1n5534d-1/tr | 26.0414 | | 5055 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5534d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | ||||||||||
| jans1n4616d-1/tr | 134.7200 | | 6419 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4616d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 2.2 v | 1.3オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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