画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jans1n4975cus/tr | 368.3100 | ![]() | 1506 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jans1n4975cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 38.8 v | 51 v | 27オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL5243D | 8.4150 | ![]() | 5907 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5243D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3783 | 38.6100 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N3783 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.7 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||
jans1n6317cus/tr | 197.1004 | ![]() | 9421 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n6317cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14オーム | ||||||||||||||||||
jantxv1n4625d-1/tr | 16.5186 | ![]() | 2001年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4625d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4482cus/tr | 45.2850 | ![]() | 1653 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantxv1n4482cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 40.8 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||||||||
![]() | R4210F | 59.8350 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | R42 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | R4210 | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 100 V | -65°C〜200°C | 125a | - | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5950CE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5950 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 83.6 v | 110 v | 300オーム | ||||||||||||||||
1N5238A | 1.8600 | ![]() | 5225 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5238 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | ||||||||||||||||||
jantx1n4619c-1/tr | 12.2493 | ![]() | 7142 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4619c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5945BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 1480 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5945 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51.2 v | 68 v | 120オーム | ||||||||||||||||
![]() | UFR7120 | 97.1250 | ![]() | 2448 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-203ab(do-5) | - | 影響を受けていない | 150-UFR7120 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 70 a | 60 ns | 25 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 70a | 150pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N759AUR-1 | 3.0300 | ![]() | 6094 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N759 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n5553/tr | 7.6650 | ![]() | 1142 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5553/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
jantxv1n5614us | 10.1550 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N5614 | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 200 V | -65°C〜200°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N6761 | 79.0500 | ![]() | 1402 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N6761 | ショットキー | DO-41 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 690 mV @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 70pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | cdll4772a/tr | 121.5300 | ![]() | 3232 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL4772A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6623E3 | 10.7400 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-1N6623E3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.8 V @ 1.5 a | 50 ns | 500 NA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1.5a | - | ||||||||||||||||
![]() | SBT2535A | 62.1000 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | SBT2535 | ショットキー | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-SBT2535A | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 35 v | 25a | 580 mV @ 25 a | 2 MA @ 35 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | 1N3620 | 44.1600 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | do-203aa | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N3620 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 30 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 25a | - | ||||||||||||||||
janhca1n5544c | - | ![]() | 2622 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n5544c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25.2 v | 28 v | 100オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3314rb | - | ![]() | 9095 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 1.4オーム | ||||||||||||||||||
![]() | CD5921B | 3.8437 | ![]() | 4232 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5921B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5941E3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 5228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5941 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム | ||||||||||||||||
![]() | MV21001-150A | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MV21001-150ATR | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 4V、1MHz | シングル | 30 V | 2.8 | C0/C30 | 8000 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5955A/TR7 | 2.2200 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5955 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 136.8 v | 180 v | 800オーム | ||||||||||||||||
![]() | MSASC75W60F/TR | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC75W60F/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
UES1104HR2 | 54.0600 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | - | 2a | - | |||||||||||||||||
![]() | jantx1n3037bur-1 | 14.5800 | ![]() | 7937 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3037 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N6022C | 4.1550 | ![]() | 4817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6022 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 62 v | 82 v | 280オーム |
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