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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
jantxv1n968b-1	-	RFQ	6641	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 15 V				20 v	25オーム
1N4742AP/TR8	1.8900	RFQ	4084	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4742		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.1 v				12 v	9オーム
SMBG5362BE3/TR13	1.1400	RFQ	3207	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5362		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 20.1 v				28 v	6オーム
jantxv1n7052-1/tr	11.3850	RFQ	5655	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n7052-1/tr	ear99	8541.10.0050	1
janhca1n4614d	-	RFQ	6794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4614d	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200オーム
jans1n6351us	131.8800	RFQ	6118	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 99 v				122 v	850オーム
1N3154a/tr	6.6300	RFQ	3984	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N3154		500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N3154a/tr	ear99	8541.10.0050	143							10 µA @ 5.5 v				8.4 v	15オーム
1N4625-1E3/TR	2.6999	RFQ	8237	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4625-1E3/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500オーム
UZ140	22.4400	RFQ	3212	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ140	ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 304 v				400 V	3500オーム
1N4249US	7.3650	RFQ	4800	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf		標準		MELF-1	-			影響を受けていない	150-1N4249US	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1000 V		1.3 V @ 3 a	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
jantxv1n980d-1	9.4800	RFQ	3916	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N980		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 47 v				62 v	185オーム
1N5929bp/TR8	1.8900	RFQ	4533	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5929		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 11.4 v				15 V	9オーム
CDLL3030	15.3000	RFQ	3066	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3030		1 W	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 20.6 v				27 v	35オーム
1N4105DUR-1/TR	9.6750	RFQ	4029	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4105DUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.5 v				11 v	200オーム
jantxv1n746a-1/tr	3.0457	RFQ	5137	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n746a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				3.3 v	24オーム
Jan1N4129-1	4.1100	RFQ	4190	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4129			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 47.1 v				62 v	500オーム
1N2285	74.5200	RFQ	4253	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2285	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.19 V @ 90 a	5 µs	10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C	20a	-
CDLL5926C	7.8450	RFQ	2634	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5926		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v				11 v	5.5オーム
S16-4148E3/TR13	2.8950	RFQ	9190	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	S16-4148	標準		16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns	8独立	75 v	400MA （DC）	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-55°C〜150°C
1N974A	2.0700	RFQ	1996年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N974		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 27.4 v				36 v	70オーム
1N5259B	2.1000	RFQ	1595	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5259		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5259bms	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V				39 v	80オーム
1 PMT4116C/TR13	1.2450	RFQ	7903	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4116		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 18.25 v				24 v	150オーム
1N5362E3/TR13	0.9900	RFQ	6416	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5362		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 20.1 v				28 v	6オーム
jan1n5518dur-1/tr	38.1976	RFQ	7024	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5518dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				3.3 v	26オーム
1N4105	2.4450	RFQ	5082	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					1N4105				ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2266-1N4105	ear99	8541.10.0050	1
UES1305	30.6900	RFQ	3973	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸	UES1305	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 3 a	50 ns	20 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	-
JANTX1N750D-1	7.2600	RFQ	9057	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N750		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1.5 v				4.7 v	19オーム
janhca1n985d	-	RFQ	6606	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n985d	ear99	8541.10.0050	100					1.3 V @ 200 mA		5 µA @ 76 v				100 V	500オーム
jans1n3595aus	61.1400	RFQ	7777	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/241R	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
1N5131	22.4700	RFQ	6361	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-			影響を受けていない	150-1N5131	ear99	8541.10.0050	1											320 v	1100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²