画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBG5384B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5384 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 115 V | 160 v | 350オーム | |||||||||||
![]() | aptdf400ak120g | 136.6900 | ![]() | 7040 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF400 | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 470a | 3 V @ 400 a | 385 ns | 250 µA @ 1200 V | ||||||||||
![]() | 1 PMT5934C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 4123 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5934 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||
![]() | HSM890G/TR13 | 2.7150 | ![]() | 4743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | HSM890 | ショットキー | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 780 mV @ 8 a | 500 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | Jan1n3042b-1 | 9.2700 | ![]() | 1837 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N3042 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | ||||||||||||
jantx1n5534d-1 | 23.8200 | ![]() | 4815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5534 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | ||||||||||||
jantxv1n6634us | - | ![]() | 9395 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 v | 2オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N6013UR-1 | 3.5850 | ![]() | 3454 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6013 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
1N6073 | - | ![]() | 1660 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 2.04 V @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜155°C | 850ma | - | |||||||||||
![]() | 1N5923BP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 5982 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5923 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 3.5オーム | |||||||||||
CDLL5254A | 2.8650 | ![]() | 4291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5254 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n5533cur-1/tr | 44.0363 | ![]() | 5658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5533cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 11.7 v | 13 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n4620ur-1/tr | 65.1200 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4620ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1.65オーム | ||||||||||||
jans1n4971us/tr | 86.0502 | ![]() | 5734 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4971us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||||
![]() | cdll4729/tr | 2.3408 | ![]() | 2681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4729/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||||||
1N5230 | 2.7150 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5230 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 µA @ 1.9 v | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n3037d-1/tr | 32.2392 | ![]() | 9038 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3037d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | cdll6321/tr | 13.1404 | ![]() | 8513 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6321/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | SMBJ4739AE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 4225 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4739 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | 1N5362BE3/TR8 | 2.6850 | ![]() | 2717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5362 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 20.1 v | 28 v | 6オーム | |||||||||||
![]() | 1N4454UR | 2.6400 | ![]() | 6422 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準、逆極性 | DO-213AA | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4454ur | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜175°C | 200mA | - | |||||||||||
jantxv1n6624us | 18.2850 | ![]() | 1905 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/585 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N6624 | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | JANTXV1N6624US-MIL | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 900 V | 1.55 V @ 1 a | 60 ns | 500 NA @ 150 V | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 10V、1MHz | |||||||||
![]() | jantxv1n4478dus/tr | 56.5650 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantxv1n4478dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 28.8 v | 36 v | 27オーム | ||||||||||||||
jantx1n4484 | 5.4150 | ![]() | 7276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4484 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 49.6 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5360AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 9321 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5360 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 18 V | 25 v | 4オーム | |||||||||||
JAN1N4121C-1 | 10.5000 | ![]() | 4069 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4121 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25.1 v | 33 v | 200オーム | |||||||||||||
![]() | CDLL5222C | 6.7200 | ![]() | 4247 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5222C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30オーム | |||||||||||||
jan1n6321us | 15.7500 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6321 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | CD4102 | 1.3699 | ![]() | 9897 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4102 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.61 v | 8.7 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | cdll3022b/tr | 13.7389 | ![]() | 1633 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll3022b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム |
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