画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv1n4103dur-1/tr | 36.8809 | ![]() | 2773 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4103dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 9.1 v | 200オーム | |||||||||||||||||
jantx1n3017c-1 | 25.5600 | ![]() | 5047 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3017 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||||||
Jan1n4130c-1 | 10.5000 | ![]() | 5395 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4130 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jans1n4110cur-1 | 97.9650 | ![]() | 1189 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.2 v | 16 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1n749aur-1/tr | 3.1800 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 313 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 18オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | UES1303SM-1/TR | 38.7000 | ![]() | 2817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準、逆極性 | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-US1303SM-1/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 5 µA @ 150 v | - | 8a | - | ||||||||||||||||
CDLL962 | 2.8650 | ![]() | 7202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL962 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n3333b | - | ![]() | 3562 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3333b | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 42.6 v | 52 v | 5.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | SMBG5375CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 4600 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5375 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 65オーム | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N823UR-1 | 5.5500 | ![]() | 6656 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | DO-213AA | 1N823 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4099/TR13 | 1.1250 | ![]() | 1054 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4099 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5.17 v | 6.8 v | 200オーム | ||||||||||||||||
1N6643US/TR | 6.6899 | ![]() | 2542 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6643US/TR | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.2 V @ 100 MA | 20 ns | 50 Na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | jan1n990dur-1/tr | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | ダウンロード | 150-jan1n990dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 122 v | 160 v | 1700オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5525DUR-1 | 16.2000 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-1N5525DUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4463cus/tr | 31.0350 | ![]() | 1238 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantxv1n4463cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 500 NA @ 4.92 v | 8.2 v | 3オーム | |||||||||||||||||||
![]() | cdll5251/tr | 2.7132 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5251/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||||||
![]() | 689-6 | 280.3200 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | nd | 689-6 | 標準 | nd | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-689-6 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1独立 | 600 V | 15a | 1.2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
jantxv1n4960 | 10.8750 | ![]() | 8144 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4960 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 9.1 v | 12 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||||
1N6078 | 26.9100 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N6078 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.76 V @ 18.8 a | 30 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜155°C | 1.3a | - | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT5926BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 6709 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5926 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | ||||||||||||||||
JANTX1N5542B-1 | 7.4251 | ![]() | 7205 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5542 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 19.8 v | 22 v | 100オーム | |||||||||||||||||
![]() | jantx1n6643u/tr | 6.5301 | ![]() | 9817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準、逆極性 | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6643u/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 6 ns | 500 NA @ 50 V | -65°C〜200°C | 300mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4115ur-1 | - | ![]() | 1134 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.8 v | 22 v | 150オーム | |||||||||||||||||
![]() | GC15006-152 | - | ![]() | 4328 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | - | - | - | - | 影響を受けていない | 150-GC15006-152 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.14pf @ 20V、1MHz | シングル | 22 v | 13 | C0/C20 | 1200 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||
jan1n4955dus | 31.3500 | ![]() | 1556 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4955 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 100 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | CDLL5239D | 8.4150 | ![]() | 4477 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5239D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||||||
jan1n4983c | 31.5150 | ![]() | 7717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4983 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 83.6 v | 110 v | 125オーム | |||||||||||||||||
jans1n4990d | 519.7200 | ![]() | 7442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4990d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 167 v | 220 v | 550オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3020cur-1 | 37.3500 | ![]() | 8082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3020 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µa @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3821dur-1/tr | 55.1418 | ![]() | 8545 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3821dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.3 v | 10オーム |
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