画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R2090 | 33.4500 | ![]() | 3652 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-R2090 | 1 | |||||||||||||||||||||||
1N5532D-1 | 5.6850 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5532D-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.8 v | 12 v | 90オーム | ||||||||||||
UES1003SM-1/TR | 24.3450 | ![]() | 8078 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-US1003SM-1/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 975 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n4493cus/tr | 38.8800 | ![]() | 5492 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4493cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700オーム | ||||||||||||
1N5221B/TR | 2.2344 | ![]() | 3512 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5221B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | jan1n4578aur-1/tr | 20.5950 | ![]() | 7685 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4578aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50オーム | |||||||||||
jantx1n6334dus/tr | 58.0500 | ![]() | 4423 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6334dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | |||||||||||||
![]() | UFS150JE3/TR13 | 0.7800 | ![]() | 2156 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214BA | UFS150 | 標準 | DO-214BA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜175°C | 1a | - | |||||||
jan1n4626c-1 | 9.5850 | ![]() | 2365 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4626 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400オーム | ||||||||||
![]() | jans1n4132ur-1 | 48.9900 | ![]() | 1710 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | |||||||||||
![]() | jan1n6761-1/tr | - | ![]() | 3484 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/586 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | ショットキー | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n6761-1/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 690 mV @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 70pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | jantxv1n751cur-1 | 19.7700 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N751 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||
1N5233C | 4.0800 | ![]() | 2209 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5233C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | JANKCA1N757A | - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n757a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||
![]() | CD4568A | 12.1050 | ![]() | 9358 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4568A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||
1N5531A/TR | 1.9950 | ![]() | 4502 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5531A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9 V | 11 v | |||||||||||||
![]() | cdll5543a/tr | 5.9052 | ![]() | 4728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5543a/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 21 v | 25 v | 100オーム | ||||||||||
![]() | 1N7051UR-1/TR | 9.4500 | ![]() | 2706 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ear99 | 8541.10.0050 | 102 | |||||||||||||||||||||||
![]() | UFS370GE3/TR13 | 1.5000 | ![]() | 1243 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | UFS370 | 標準 | DO-215AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 700 V | 1.2 V @ 3 a | 60 ns | 10 µA @ 700 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||
![]() | 1N5369C/TR8 | 3.3900 | ![]() | 8419 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5369 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 36.7 v | 51 v | 27オーム | |||||||||
![]() | 1N6777 | 302.0100 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-257-3 | 標準 | TO-257 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 800 mV | -65°C〜150°C | 15a | 300pf @ 5V、1MHz | |||||||||
1N5527/tr | 1.9950 | ![]() | 7191 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5527/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6 V | 7.5 v | |||||||||||||
![]() | 1N1127 | 38.3850 | ![]() | 3156 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1127 | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.2 V @ 30 a | 10 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||
![]() | CDLL5259C | 4.8678 | ![]() | 7627 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5259C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | ||||||||||
![]() | CD5545B | 2.0349 | ![]() | 5222 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5545B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 Na @ 27 V | 30 V | 100オーム | ||||||||||
jans1n6635cus | - | ![]() | 7116 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 1 V | 4.3 v | 2オーム | ||||||||||||
![]() | CD6346 | 2.1014 | ![]() | 7139 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6346 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
![]() | Jan1n6353dus | - | ![]() | 1006 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 122 v | 151 v | 1200オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n6766 | - | ![]() | 1784 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 標準 | TO-254 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.55 V @ 12 a | 60 ns | 10 µA @ 320 v | - | 12a | 300pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N6018B | 2.0700 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6018 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N6018bms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 43 v | 56 v | 200オーム |
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