画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5914bur-1/tr | 4.2200 | ![]() | 5192 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.25 w | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 233 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 9オーム | |||||||||||||||||
Jan1n6347us/tr | 16.0800 | ![]() | 3057 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jan1n6347us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 69 v | 91 v | 270オーム | |||||||||||||||||
jantxv1n5533b-1/tr | 8.2327 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5533b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 11.7 v | 13 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | APTDF200H120G | 138.5800 | ![]() | 8562 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP6 | APTDF200 | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 200 a | 150 µA @ 1200 V | 235 a | 単相 | 1.2 kv | |||||||||||||
![]() | cdll6314/tr | 12.5951 | ![]() | 1664 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6314/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N7053-1 | 7.1700 | ![]() | 2671 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N7053 | 250 MW | DO-7 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 v | 35オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5928PE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 8081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5928 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | |||||||||||||
jan1n6310dus/tr | 49.0650 | ![]() | 5982 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jan1n6310dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | jan1n944bur-1/tr | - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n944444bbur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5985UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 2.4 v | |||||||||||||||||||
![]() | R3420 | 36.6600 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | R34 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | R3420 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 90 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 45a | - | |||||||||||||
![]() | 1N966BE3 | 2.0083 | ![]() | 8396 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N966BE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | cdll5525a/tr | 5.9052 | ![]() | 3703 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5525A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 6.2 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | CD5256B | 1.4497 | ![]() | 1270 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5256B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | ||||||||||||||
![]() | CD4772 | 12.4650 | ![]() | 1934年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4772 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5233BE3/TR | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 391 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | cdll5236d/tr | 8.5950 | ![]() | 6710 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5236d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n4986dus/tr | 51.2700 | ![]() | 2473 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantxv1n4986dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 114 v | 150 v | 330オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1n6857ur-1/tr | 13.0200 | ![]() | 5548 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | ショットキー | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6857ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 16 v | 750 mV @ 35 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | 150ma | 4.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | UPP1004/TR7 | 8.8650 | ![]() | 7060 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | DO-216AA | UPP1004 | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 100V | 1OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||
jantxv1n4495dus | 56.4150 | ![]() | 3523 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4495dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 144 v | 180 v | 1300オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ4754/TR13 | 0.8700 | ![]() | 2745 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4754 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5952bur-1/tr | 7.7200 | ![]() | 6349 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.25 w | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 125 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.9 v | 130 v | 450オーム | |||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4965dus | 33.0450 | ![]() | 6025 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4965dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 15.2 v | 20 v | 4.5オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5340BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 2496 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5340 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 v | 1オーム | |||||||||||||
Jan1n4467us | 10.9200 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4467 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 200 Na @ 9.6 v | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | jans1n4470cus/tr | 283.9800 | ![]() | 5363 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jans1n4470cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム | ||||||||||||||||
UES1104 | 23.4000 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | UES1104 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | janhca1n963c | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n963c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | |||||||||||||||
jans1n6348c | 358.7400 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6348c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 76 v | 100 V | 340オーム |
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