画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDS967B-1 | - | ![]() | 3846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS967B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | jans1n5420 | 55.6950 | ![]() | 2362 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/411 | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 9 a | 400 ns | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | Jan1n935bur-1/tr | - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n935bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n5522bur-1 | 14.7600 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n6335cus | 527.5650 | ![]() | 7990 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6335cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 23 V | 30 V | 32オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5951B/TR13 | 2.2200 | ![]() | 1553 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5951 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91.2 v | 120 v | 380オーム | |||||||||
![]() | 1N4740AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 6590 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4740 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | |||||||||
![]() | 1N5237bur-1 | 2.8650 | ![]() | 5084 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5237 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||
1N5921B/TR | 2.8462 | ![]() | 3630 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.25 w | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5921B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | cdll5261b/tr | 2.7132 | ![]() | 4869 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5261B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||
![]() | 1N1368 | 44.3850 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | スタッドマウント | do-203aa | 1N136 | 10 W | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-1N1368 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 51 v | 8オーム | ||||||||||||
jantxv1n6074 | 18.2550 | ![]() | 4653 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/503 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N6074 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 2.04 V @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 850ma | - | ||||||||
![]() | cdll5518b/tr | 5.9052 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5518b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 26オーム | ||||||||||
![]() | Jan1N6658 | 213.6600 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 標準 | TO-254 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.2 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | - | 15a | 150pf @ 10V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N4554B | - | ![]() | 1751 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N4554 | 500 MW | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 20 µA @ 2 V | 6.2 v | 0.14オーム | |||||||||
![]() | 1N4507 | 42.4950 | ![]() | 6832 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N4507 | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 30 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 22a | - | |||||||||
![]() | 1N5241bur-1 | 2.8650 | ![]() | 6253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5241 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 22オーム | ||||||||||
![]() | jantx1n4995 | - | ![]() | 6295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4995 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 274 v | 360 v | 1400オーム | |||||||||
1N5546B-1 | 3.0750 | ![]() | 9453 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5546B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 29.7 v | 33 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | 1N1358A | 44.3850 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | スタッドマウント | do-203aa | 1N135 | 10 W | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-1N1358A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5945B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 6800 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5945 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51.2 v | 68 v | 120オーム | |||||||||
![]() | jantx1n5550 | 6.6000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 1N5550 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||||
![]() | 1N5519UR-1/TR | 6.6300 | ![]() | 1238 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 900 mV | 3.6 v | ||||||||||||||
![]() | cdll5271/tr | 3.3516 | ![]() | 3113 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5271/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 76 v | 100 V | 500オーム | ||||||||||
![]() | 1N2442 | 102.2400 | ![]() | 6737 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2442 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 350 V | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 350 V | -65°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
1N5989 | 1.9950 | ![]() | 8924 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5989 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 500 mV | 3.6 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4566 | 4.1850 | ![]() | 1824年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4566 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||
1N6627 | 11.2800 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N6627 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 440 v | 1.35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 440 v | -65°C〜150°C | 1.75a | 40pf @ 10V、1MHz | ||||||||
jans1n944b-1/tr | - | ![]() | 1571 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n944b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n6327dus | 334.3200 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 8オーム |
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