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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
UZ822	22.4400	RFQ	5106	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ822	ear99	8541.10.0050	1
1N1614	38.0550	RFQ	6526	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1614	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		200 v		1.5 V @ 15 a		50 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	15a	-
LSM545GE3/TR13	0.7500	RFQ	1774	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	LSM545	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		45 v		520 mV @ 5 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	5a	-
cdll3827/tr	9.1371	RFQ	9033	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll3827/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V						5.6 v	5オーム
1N5805/tr	5.8500	RFQ	2405	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5805/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		125 v		875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 125 v	-65°C〜125°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
1N249	74.5200	RFQ	6001	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N249	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		100 V		1.19 V @ 90 a	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C〜200°C	10a	-
Jan1n971dur-1	14.2500	RFQ	6167	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N971		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 21 V						27 v	41オーム
S2560	33.4500	RFQ	4243	マイクロチップテクノロジー	S25	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	S2560	標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 30 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C	25a	-
CD645B	2.3408	RFQ	9182	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	死ぬ	CD645	標準		死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD645B	ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns		270 v				50 µA @ 225 v	-65°C〜175°C	400mA	-
Jan1n4119d-1	13.1400	RFQ	6741	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4119			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.3 v						28 v	200オーム
95HQ015	218.1150	RFQ	4570	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		ショットキー		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない	95hq015ms	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		15 V		500 mV @ 80 a		20 ma @ 15 v	-55°C〜100°C	80a	-
jantx1n4489	14.4400	RFQ	637	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4489		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		250 na @ 80 v						100 V	250オーム
GC4800A-14	-	RFQ	5158	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C		2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-GC4800A-14	ear99	8541.10.0060	1										0.02pf @ 10V、2.2GHz	ピン -シングル	80V			6.5OHM @ 20MA 、2.2GHz
Jan1n5524bur-1	14.4600	RFQ	3821	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5524		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 3.5 v						5.6 v	30オーム
jan1n5712ubca	84.3000	RFQ	1603	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/444	バルク	アクティブ			表面マウント	4-SMD 、リードなし		ショットキー		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns				1 V @ 35 Ma			150°C （最大）		2PF @ 0V、1MHz
jantx1n752dur-1	18.0600	RFQ	3729	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2.5 v						5.6 v	8オーム
jantx1n4120dur-1	30.4050	RFQ	8044	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4120		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v						30 V	200オーム
jantxv1n6324us	22.5300	RFQ	8273	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8 V						10 v	6オーム
jans1n6352c	-	RFQ	6809	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 114 v						150 v	1000オーム
1N4925a/tr	20.7450	RFQ	5921	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4925a/tr	ear99	8541.10.0050	1													19.2 v	75オーム
jantxv1n4477	-	RFQ	3298	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		50 Na @ 26.4 v						33 v	25オーム
jantxv1n4986c	22000	RFQ	2695	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4986c	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 114 v						150 v	330オーム
jantx1n4994us	-	RFQ	8453	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 251 v						330 v	1175オーム
jan1n4969dus	29.4600	RFQ	9748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4969		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 22.8 v						30 V	8オーム
aptdf400ak60g	129.3311	RFQ	9761	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	LP4	APTDF400	標準		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペアシリーズ接続	600 V	500a	2 V @ 400 a	160 ns	750 µA @ 600 V
1N4149-1	1.1400	RFQ	6969	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4149-1	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1 V @ 10 mA	4 ns	25 Na @ 20 V	-65°C〜200°C	200mA	-
1N6625US/TR	15.2250	RFQ	4502	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		a-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6625US/TR	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		1100 v		1.75 V @ 1 a	60 ns	1 µA @ 1100 v	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V、1MHz
CDLL5258B	2.8650	RFQ	7783	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5258		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 27 V						36 v	70オーム
1N1205R	34.7100	RFQ	4206	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1205	標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		500 V		1.2 V @ 30 a		10 µA @ 500 V	-65°C〜200°C	12a	-
janhca1n4574a	72.4650	RFQ	2602	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n4574a	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²