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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMBJ5352BE3/TR13 | 0.9150 |  | 5649 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5352 | 5 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 10.8 v | 15 V | 2.5オーム | |||||||||||
 | jans1n6311dus/tr | 356.5050 | | 4049 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jans1n6311dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 a | 30 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | ||||||||||||||
 | 1 PMT5940E3/TR7 | 0.7350 | | 1173 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5940 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | |||||||||||
 | 1N5521A/TR | 1.9950 | | 6606 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | 影響を受けていない | 150-1N5521A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | ||||||||||||||
 | 1N4682UR-1/TR | 5.2400 | | 7613 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | ||||||||||||||||
| Jan1n3015b | - | | 2871 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 152 v | 200 v | 300オーム | ||||||||||||
 | CD4463 | 4.3624 | | 6355 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4463 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||
 | jan1n3044444cur-1/tr | 29.0339 | | 4370 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3044cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | ||||||||||||
 | jantx1n5619us | 9.0900 | | 7464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/429 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N5619 | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 3 a | 250 ns | 500 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 12V、1MHz | |||||||||
 | jantx1n3050cur-1/tr | - | | 2245 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1.25 w | do-213ab | - | 150-jantx1n3050cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | ||||||||||||||
 | jans1n6328us | 118.4850 | | 9846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6328 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 na @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||
| jans1n4616d-1/tr | 134.7200 | | 6419 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4616d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 2.2 v | 1.3オーム | ||||||||||||
 | cdll5535/tr | 5.9052 | | 5440 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5535/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.5 v | 15 V | 100オーム | ||||||||||||
| jantx1n705555ur-1/tr | 10.9650 | | 7537 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n7055ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| janhca1n4103 | 13.2734 | | 7782 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 （do-204aa） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhca1n4103 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.92 v | 9.1 v | 200オーム | ||||||||||||
| 1N3030bur-1/tr | 15.4500 | | 6009 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | |||||||||||||||
| 1N4370AUR-1 | 6.0150 | | 5163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N4370 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||
| 1N1362 | 44.3850 | | 3372 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | - | スタッドマウント | do-203aa | 1N136 | 10 W | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-1N1362 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 30 V | 4オーム | ||||||||||||||
 | jantx1n4986dus | 43.9350 | | 9860 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4986 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 114 v | 150 v | 330オーム | |||||||||||
| jantxv1n7051-1 | 11.2350 | | 6997 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| jan1n4620d-1/tr | 11.1986 | | 9654 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4620d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | ||||||||||||
| Jan1n6327c/tr | 22.6233 | | 2502 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n6327c/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||
 | CDLL3822 | 10.1250 | | 2442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3822 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||||
| CDLL4708 | 3.3000 | | 3998 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL4708 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.7 v | 22 v | ||||||||||||
 | jantxv1n5554/tr | 11.5950 | | 5425 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5554/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.3 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 1 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||||||||
| jantxv1n754a-1/tr | 4.0831 | | 9514 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n754a-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
| jantx1n5712ubca/tr | 103.9200 | | 1215 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/444 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | ショットキー | ub | - | 150-jantx1n5712ubca/tr | 100 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 16 v | 75ma | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
| CD4565 | 3.7200 | | 5795 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | 0°C〜75°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4565 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||||
| cdll5263a/tr | 2.7664 | | 2102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5263A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 43 v | 56 v | 150オーム | ||||||||||||
| 1N3157-1 | 47.5650 | | 5079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N3157 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 v | 8.4 v | 15オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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