画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4593 | 102.2400 | ![]() | 7988 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4593 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
janhca1n5530c | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n5530c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.1 v | 10 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | SMAJ5940AE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ5940 | 3 W | do-214ac(smaj) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | |||||||||
Jan1n4117c-1/tr | 9.4430 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4117c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 19 v | 25 v | 150オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5229bur-1 | 2.8650 | ![]() | 3572 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5229 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | ||||||||||
![]() | jantxv1n4965cus | 26.4300 | ![]() | 4776 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4965cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 15.2 v | 20 v | 4.5オーム | |||||||||||
1N6351US | 14.7750 | ![]() | 6149 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6351 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 99 v | 130 v | 850オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ5363AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5363 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 21.6 v | 30 V | 8オーム | |||||||||
![]() | 1N5621/tr | 4.7250 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5621/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.6 V @ 3 a | 300 ns | 500 NA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 12V、1MHz | ||||||||
![]() | jantx1n989dur-1/tr | - | ![]() | 5691 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | ダウンロード | 150-jantx1n989dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 114 v | 150 v | 1500オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n4978cus | 40.8900 | ![]() | 1084 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4978cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 51.7 v | 68 v | 50オーム | |||||||||||
jantx1n6322us/tr | 16.1861 | ![]() | 8987 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n6322us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | cdll3029b/tr | 13.7522 | ![]() | 6418 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll3029b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | ||||||||||
1N5275B-1 | 3.3000 | ![]() | 9088 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5275B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 106 v | 140 v | 1300オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n4468/tr | 12.0631 | ![]() | 2576 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4468/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||
![]() | jans1n4118ur-1 | 48.9900 | ![]() | 1930年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4118 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 20.5 v | 27 v | 150オーム | |||||||||
![]() | jantxv1n2836b | - | ![]() | 5761 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2836 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 11オーム | ||||||||||
![]() | 1N2426 | 102.2400 | ![]() | 7634 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2426 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 100a | - | ||||||||||
1N5526B-1/TR | 1.9950 | ![]() | 3179 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5526B-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.2 v | 6.8 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3154A-1 | 6.4500 | ![]() | 1946年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N3154 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 5.5 v | 8.8 v | 15オーム | ||||||||||
![]() | 1N4622 | 2.6250 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N4622 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650オーム | |||||||||||
1N4569A-1 | 67.3350 | ![]() | 1595 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4569 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | |||||||||||
JANTX1N5520C-1 | 18.8850 | ![]() | 1771 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5520 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22オーム | ||||||||||
![]() | 1 PMT5956CE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 2781 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5956 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 152 v | 200 v | 1200オーム | |||||||||
jantx1n4461dus | 69.9450 | ![]() | 1849 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4461 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4.08 v | 6.8 v | 2.5オーム | ||||||||||
![]() | jantxv1n4976us/tr | 16.1250 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantxv1n4976us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 42.6 v | 56 v | 35オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n4466dus/tr | 330.4050 | ![]() | 6591 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jans1n4466dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 300 NA @ 8.8 v | 11 v | 6オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n6773 | - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-257-3 | 標準 | TO-257 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 8 a | 60 ns | 10 µA @ 480 v | - | 8a | 200pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N5340E3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 7233 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5340 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 v | 1オーム | |||||||||
jantx1n6313us | 20.9250 | ![]() | 6287 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 25オーム |
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