画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSASC100H30HS/TR | - | ![]() | 8503 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC100H30HS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||
CDLL6347 | 14.6400 | ![]() | 3361 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL6347 | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 69 v | 91 v | 270オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5264Bur-1/Tr | 3.7400 | ![]() | 9327 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n6343 | 14.6700 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 1N6343 | 500 MW | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 47 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n6079 | 41.3850 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/503 | バルク | アクティブ | 穴を通して | g 、軸 | 標準 | g 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6079 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.5 V @ 37.7 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜155°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | 1 PMT5950CE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5950 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 83.6 v | 110 v | 300オーム | |||||||||||
![]() | 1N3016bur-1/tr | 16.2600 | ![]() | 8574 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 117 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||||||
![]() | cdll972b/tr | 2.7132 | ![]() | 4933 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll972b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 23 V | 30 V | 49オーム | ||||||||||||
![]() | cdll945b/tr | 40.9950 | ![]() | 6666 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll945b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | 1N3738 | 158.8200 | ![]() | 1445 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3738 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 400 V | -65°C〜190°C | 275a | - | ||||||||||||
jantxv1n4574a-1 | 36.5850 | ![]() | 2083 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3 V | 3 v | 100オーム | |||||||||||||||
1N4750AGE3/TR | 3.1255 | ![]() | 4503 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4750AGE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | 1N6942UTK3CS | 267.2850 | ![]() | 4097 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | ショットキー | Thinkey™3 | - | 影響を受けていない | 150-1N6942UTK3CS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 460 mV @ 50 a | 5 ma @ 45 v | -65°C〜150°C | 150a | 7000pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4495US/TR | 16.0000 | ![]() | 4980 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 144 v | 180 v | 1300オーム | |||||||||||||||
![]() | CD0.5A30 | 3.1200 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | ショットキー | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD0.5A30 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 100 Ma | 10 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 200mA | 50pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | JANKCA1N4101C | - | ![]() | 1147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4101c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.24 v | 8.2 v | 200オーム | |||||||||||||
1N6074US/TR | 17.6250 | ![]() | 1609 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6074US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 2.04 V @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 3a | - | |||||||||||
jantx1n4463cus/tr | 36.8850 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4463cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 500 NA @ 4.92 v | 8.2 v | 3オーム | |||||||||||||||
![]() | cdll5237d/tr | 8.5950 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5237d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | CDS5822US/TR | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5822US/TR | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 689-6 | 280.3200 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | nd | 689-6 | 標準 | nd | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-689-6 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1独立 | 600 V | 15a | 1.2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | jantx1n6315dus/tr | 55.7550 | ![]() | 6359 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6315dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBJ5926C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 7289 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5926 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | |||||||||||
![]() | utr3310/tr | 13.0200 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準、逆極性 | b 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UTR3310/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.1 V @ 3 a | 250 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 400pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | Jan1n6080 | 46.8900 | ![]() | 6693 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/503 | バルク | アクティブ | 穴を通して | g 、軸 | 標準 | g 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6080 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 37.7 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | JANKCA1N5543B | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n5543b | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.4 v | 25 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | 1N6077E3 | 21.6150 | ![]() | 9371 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | E 、軸 | 標準 | E 、軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6077E3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.76 V @ 18.8 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | 1N4571/tr | 6.7050 | ![]() | 8426 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4571/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 141 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | janhca1n984c | - | ![]() | 7310 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n984c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 69.2 v | 91 v | 400オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n6350cus/tr | 57.2550 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6350cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 120 v | 600オーム |
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