画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5276bur-1 | 5.1900 | ![]() | 5603 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5276 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 114 v | 150 v | 1500オーム | ||||||||||
![]() | jan1n3345b | - | ![]() | 8975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3345b | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 114 v | 140 v | 60オーム | ||||||||||
jan1n6320us | 15.2850 | ![]() | 1977年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6320 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | APTDF430U100G | 105.9808 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF430 | 標準 | LP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.3 V @ 500 a | 120 ns | 2.5 mA @ 1000 v | 500a | - | ||||||||
![]() | 1N1344B | 45.3600 | ![]() | 4160 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1344 | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 16a | - | |||||||||
jans1n6320c | 280.2750 | ![]() | 7038 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6320 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||
JANTX1N4106-1 | 4.8300 | ![]() | 1184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4106 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||
![]() | CDLL4627C/TR | 8.0550 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4627C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 118 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||
![]() | cdll821/tr | 4.1400 | ![]() | 8927 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4.83% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll821/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | jan1n4954dus/tr | 31.5000 | ![]() | 4214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4954dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5937bp/TR8 | 1.8900 | ![]() | 4259 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5937 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||
![]() | jantxv1n3035bur-1/tr | 16.1196 | ![]() | 9747 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3035bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | ||||||||||
![]() | 1N740A | 2.0700 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N740 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 120 v | 570オーム | |||||||||||
![]() | R3710 | 49.0050 | ![]() | 9326 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SR37 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | - | 影響を受けていない | 150-R3710 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 200 a | 5 µs | 50 µA @ 100 V | -65°C〜200°C | 85a | - | |||||||||
CDLL5938B | 3.9750 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5938 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | ||||||||||
![]() | 1N3784 | 38.6100 | ![]() | 1391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N3784 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.7 v | 10オーム | |||||||||||||
jantxv1n6320us/tr | 19.1254 | ![]() | 1688 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6320us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | jan1n4626ur-1/tr | 7.1820 | ![]() | 6944 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4626ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400オーム | ||||||||||
jantxv1n4496dus | 56.4150 | ![]() | 3976 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4496dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4588rd | 102.2400 | ![]() | 7975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4588rd | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
JANTX1N4108C-1 | 19.0950 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4108 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | ||||||||||
1N5992 | 3.4050 | ![]() | 3880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5992 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | JANKCA1N4129C | - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4129c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | |||||||||||
![]() | CD4771A | 12.4650 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4771A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | Jan1n4370a-1 | 2.9100 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4370 | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | ||||||||||
![]() | jantx1n6339cus | 39.7950 | ![]() | 1644 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6339cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 33 v | 43 v | 65オーム | |||||||||||
![]() | CD5711 | 0.9600 | ![]() | 7699 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | ショットキー | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -55°C〜125°C | 15ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||
Jan1n4370d-1 | 9.3450 | ![]() | 1158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4370 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | 1N6029A | 2.5950 | ![]() | 5363 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6029 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 99 v | 160 v | 2000年 | |||||||||
![]() | 1N704A | 1.0500 | ![]() | 7041 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N704 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 4.1 v | 4.1 v | 45オーム |
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