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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
UES803	63.9150	RFQ	6991	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	UES803	標準		DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	150 v	975 mV @ 70 a	50 ns	25 µA @ 150 v	175°C （最大）	70a	-
jantxv1n4130dur-1/tr	32.0663	RFQ	6423	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4130dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 51.7 v				68 v	700オーム
janhca1n4622c	-	RFQ	3971	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4622c	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				3.9 v	1650オーム
CDLL5263C	6.7200	RFQ	4999	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5263C	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 43 v				56 v	150オーム
jans1n4961	80.1900	RFQ	8504	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-			影響を受けていない	2266-Jans1N4961	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		10 µA @ 9.9 v				13 v	3オーム
1N2067	158.8200	RFQ	6479	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2067	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	900 V	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 900 V	-65°C〜190°C	275a	-
1 PMT5948C/TR13	2.7600	RFQ	2068	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5948		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 69.2 v				91 v	200オーム
JAN1N979B-1	1.7100	RFQ	9102	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N979		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v				56 v	150オーム
cdll5263a/tr	2.7664	RFQ	2102	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5263A/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 43 v				56 v	150オーム
1N4626D	6.5700	RFQ	8852	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4626D	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 4 V				5.6 v	1400オーム
jantx1n4493dus/tr	45.2400	RFQ	8290	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantx1n4493dus/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		250 NA @ 120 V				150 v	700オーム
jantxv1n6314dus/tr	68.6850	RFQ	4529	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	ダウンロード				150-jantxv1n6314dus/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V				3.9 v	23オーム
jantx1n4148-1	0.8600	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/116	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4148	標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	75 v	1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4PF @ 0V、1MHz
1N6490	11.1000	RFQ	4636	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		1 µA @ 1 V				5.1 v	7オーム
jantxv1n6487us/tr	-	RFQ	8595	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード				150-jantxv1n6487us/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		35 µA @ 1 V				3.9 v	9オーム
jantx1n3028c-1/tr	22.7962	RFQ	1420	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3028c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 16.7 v				22 v	23オーム
HSM845GE3/TR13	1.3950	RFQ	7753	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	HSM845	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	45 v	620 mv @ 8 a		250 µA @ 45 V	-55°C〜175°C	8a	-
jantxv1n4121d-1	28.9500	RFQ	1879	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4121		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.1 v				33 v	200オーム
CDLL4111	4.6350	RFQ	9360	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4111		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13 V				17 v	100オーム
1N5811URS	34.1700	RFQ	5631	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-1N5811URS	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	150 v	875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V、1MHz
APT40DQ60BG	1.8300	RFQ	7	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	APT40DQ60	標準		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	600 V	2.4 V @ 40 a	25 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	40a	-
jan1n4958c	14.9250	RFQ	4862	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4958		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		25 µa @ 7.6 v				10 v	2オーム
jans1n4565aur-1	85.8150	RFQ	5436	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200オーム
CDS5541bur-1/tr	-	RFQ	1461	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS5541BUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	50
jantxv1n5711ub/tr	66.3300	RFQ	7889	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/444	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	4-SMD 、リードなし		ショットキー		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5711ub/tr	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	50 v	1 V @ 15 mA		200 Na @ 50 V	-65°C〜150°C		2PF @ 0V、1MHz
jantx1n3821aur-1/tr	14.2310	RFQ	1557	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3821aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3.3 v	10オーム
CDLL4930A	79.1550	RFQ	7450	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4930		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 v	36オーム
CDS5518bur-1	-	RFQ	2314	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS5518bur-1	ear99	8541.10.0050	50
1 PMT5940BE3/TR13	0.7350	RFQ	7510	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5940		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 32.7 v				43 v	53オーム
janhca1n4127d	-	RFQ	5699	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4127d	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v				56 v	300オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²