画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5350/TR12 | - | ![]() | 5582 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5350 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 9.4 v | 13 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | 1n4107ur-1/tr | 3.5245 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4107UR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n4617ur-1 | 6.5550 | ![]() | 4970 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4617 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 2.4 v | 1400オーム | |||||||||||
![]() | CD977B | 1.5029 | ![]() | 4736 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD977B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n3310b | - | ![]() | 9928 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 0.8オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n4987us/tr | 13.4100 | ![]() | 6470 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4987us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n4112cur-1/tr | 21.9051 | ![]() | 2817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4112cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | CDS979B-1 | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS979B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
1N5522C | 11.3550 | ![]() | 7623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5522C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N6642UBCA/TR | 14.4300 | ![]() | 9911 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4470 | 8.1900 | ![]() | 8967 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4470 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム | ||||||||||||
1N4744AG/TR | 3.3649 | ![]() | 1283 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N474444AG/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||||
![]() | APT15DQ100BCTG | 2.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | Apt15 | 標準 | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1000 V | 15a | 3 V @ 15 a | 235 ns | 100 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | |||||||||
![]() | jan1n4627dur-1/tr | 18.7264 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4627dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | ||||||||||||
jan1n4113c-1/tr | 9.4430 | ![]() | 9182 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4113c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.5 v | 19 v | 150オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n3032b-1/tr | 9.0573 | ![]() | 1956年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3032b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n3348b | - | ![]() | 4445 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3348b | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 121.6 v | 175 v | 85オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n3016b-1/tr | 8.9908 | ![]() | 5957 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3016b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4736AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 1799 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4736 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||
![]() | S43120 | 57.8550 | ![]() | 7701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | S43120 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | S43120ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 1200 V | -65°C〜200°C | 150a | - | |||||||||||
![]() | UTR4320 | 12.8400 | ![]() | 6479 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UTR4320 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.1 V @ 4 a | 250 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 4a | 320pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N645UR-1 | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 225 v | 1 V @ 400 Ma | 50 Na @ 225 v | -65°C〜175°C | 400mA | - | |||||||||||
jan1n4489cus | 27.6750 | ![]() | 2729 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4489 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 na @ 80 v | 100 V | 250オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5937CE3/TR13 | - | ![]() | 3754 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5937 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||||
![]() | SMAJ5934E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 9480 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ5934 | 3 W | do-214ac(smaj) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n5196 | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/118 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5196 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 225 v | 1 V @ 100 MA | 1 µA @ 250 v | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | cdll4761/tr | 3.2319 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4761/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 175オーム | |||||||||||||
![]() | HSM170GE3/TR13 | 1.0650 | ![]() | 1913年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | HSM170 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
jantxv1n4134d-1 | 28.9500 | ![]() | 8195 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4134 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.2 v | 91 v | 1200オーム | ||||||||||||
![]() | 1N6023UR-1 | 3.5850 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6023 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
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