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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸（最大） | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | @ @ if、f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jantxv1n5540bur-1/tr | 17.2900 |  | 6791 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5540bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 18 v | 20 v | 100オーム | |||||||||||||
 | SMBJ5925BE3/TR13 | 0.8850 | | 6863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5925 | 2 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8 V | 10 v | 4.5オーム | ||||||||||||
 | 1N4741UR-1/TR | 3.6200 | | 8031 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||
 | jan1n3822cur-1/tr | 31.6141 | | 4101 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3822cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||||||
| Jan1n3824aur-1 | 13.8750 | | 6628 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1N3824 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||
| 483-03 | 478.0950 | | 3423 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | シャーシマウント | 自分 | 標準 | 自分 | - | 影響を受けていない | 2266-483-03 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 39 a | 1 µA @ 600 V | 25 a | 3フェーズ | 600 V | ||||||||||||||
 | jantx1n5519d-1/tr | 19.5776 | | 1870年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5519d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | |||||||||||||
| UMX9415SM | - | | 6914 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜175°C | sq-melf | - | - | 影響を受けていない | 150-IMX9415SMTR | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 W | 4PF @ 0V 、100MHz | ピン -シングル | 50V | 1OHM @ 50MA 、100MHz | ||||||||||||||||
| jantxv1n6633us | - | | 2207 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N6633 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | ||||||||||||
| jantx1n3044cur-1/tr | 33.2500 | | 6330 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3044cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | |||||||||||||
| Jan1n977dur-1 | 14.2500 | | 7135 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N977 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||||
| jantx1n963c-1 | 5.5050 | | 3664 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N963 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | ||||||||||||
| 1N471 3UR-1/TR | 5.2400 | | 5499 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 MA | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | |||||||||||||||||
 | CD4704 | 2.3408 | | 2990 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4704 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.9 v | 17 v | ||||||||||||||
| jans1n4987cus | 462.0150 | | 7978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4987cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム | ||||||||||||||
 | Jan1N4983 | 12.3150 | | 9205 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4983 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 83.6 v | 110 v | 125オーム | |||||||||||||
| jantxv1n4615d-1/tr | 16.5186 | | 9581 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4615d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1250オーム | |||||||||||||
| jan1n4483cus/tr | 27.8250 | | 8297 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jan1n4483cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 NA @ 44.8 v | 56 v | 70オーム | |||||||||||||||
 | jans1n4475dus | 330.2550 | | 8328 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4475dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 21.6 v | 27 v | 18オーム | ||||||||||||||
| jantxv1n3026bur-1/tr | 16.1196 | | 1284 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3026bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||
| CDLL4756AE3 | 3.8400 | | 8515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4756AE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | ||||||||||||||
| jantxv1n4130ur-1/tr | 10.1080 | | 5220 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4130ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | |||||||||||||
| SMBG5343BE3/TR13 | 1.1400 | | 5209 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5343 | 5 W | SMBG （DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.4 v | 7.5 v | 1.5オーム | ||||||||||||
 | 1N967BE3/TR | 3.1654 | | 8455 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 （do-204aa） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N967BE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 21オーム | |||||||||||||
| S43160 | 112.3200 | | 5539 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-S43160 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 1600 v | -65°C〜200°C | 150a | - | |||||||||||||
 | 1 PMT5944CE3/TR7 | 0.7350 | | 9498 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5944 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||||
| CD3028b | 3.6043 | | 7559 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 1 W | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD3028B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | |||||||||||||
| 1N485B | 3.5850 | | 1978年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N485 | 標準 | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N485bms | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 200 v | 1 V @ 100 MA | 1 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||||||
| CDS5538bur-1 | - | | 7768 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5538bur-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| CD5539B | 2.0349 | | 5830 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5539B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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