画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jans1n4479dus | 330.2550 | ![]() | 9490 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4479dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 31.2 v | 39 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | cdll5537d/tr | 16.3950 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5537d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.3 v | 17 v | 100オーム | |||||||||||||||
jantx1n5519d-1 | 21.9150 | ![]() | 1473 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5519 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||||
![]() | jan1n4624cur-1/tr | 15.0024 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4624cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | ||||||||||||||
Apt30dq60kg | 0.8900 | ![]() | 1924年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | APT30DQ60 | 標準 | TO-220 [k] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.4 V @ 30 a | 30 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | jan1n938bur-1/tr | - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n938bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT5939/TR13 | 2.2200 | ![]() | 5842 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5939 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 29.7 v | 39 v | 45オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n6328dus/tr | 58.0500 | ![]() | 6283 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6328dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||||||
jantx1n981b-1/tr | 3.2319 | ![]() | 4478 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N981 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n981b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 52 v | 68 v | 230オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBJ5944AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 8902 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5944 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | cdll5540d/tr | 16.3950 | ![]() | 1809 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5540D/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 18 v | 20 v | 100オーム | |||||||||||||||
Jan1n977c-1/tr | 4.7481 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n977c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 36 V | 47 v | 105オーム | |||||||||||||||
![]() | 1n963b/tr | 2.3142 | ![]() | 8240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N963B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N3039b-1/tr | 7.4214 | ![]() | 5275 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3039 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N3039B-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||||
jantxv1n966c-1 | 8.9100 | ![]() | 2798 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N966 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | GC4712-42 | - | ![]() | 1665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | スタッド | - | - | 影響を受けていない | 150-GC4712-42 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 w | 0.3pf @ 6V、1MHz | ピン -シングル | 45V | 1.2OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1n4737ur/tr | 3.6150 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | 150-1N4737ur/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||||||
jans1n4617c-1/tr | 116.4206 | ![]() | 1797 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4617c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 2.4 v | 1.4オーム | |||||||||||||||
janhca1n5531c | - | ![]() | 1908年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n5531c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 11 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | CDS3026B-1 | - | ![]() | 1571 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS3026B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5349AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 6541 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5349 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 8.6 v | 12 v | 2.5オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5367E3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5367 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 31 V | 43 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n3019dur-1 | 46.6950 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3019 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n974dur-1 | 24.2250 | ![]() | 8419 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N974 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | SMBJ5943BE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 1235 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5943 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||||
jantxv1n4132d-1 | 28.9500 | ![]() | 7885 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4132 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | ||||||||||||||
jan1n6324c | 25.3650 | ![]() | 7253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6324 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 v | 6オーム | ||||||||||||||
1N5954bur-1 | 7.5750 | ![]() | 6121 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N5954 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 121.6 v | 160 v | 700オーム | ||||||||||||||
jan1n5527c-1/tr | 12.6749 | ![]() | 2147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5527c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||||||||||
![]() | SMBG5365AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 4871 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5365 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 v | 36 v | 11オーム |
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