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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸（最大） | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | @ @ if、f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jantxv1n6348cus/tr | 57.2550 |  | 8329 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6348cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 76 v | 100 V | 340オーム | |||||||||||||||||||
 | 1N4581 | 7.1850 | | 2389 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4581 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | |||||||||||||||||||
 | jantxv1n3027dur-1/tr | 50.5932 | | 2888 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3027dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | |||||||||||||||||
 | 1N825E3 | 5.4750 | | 5114 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N825 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1N825E3MS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 5.9 v | 15オーム | |||||||||||||||||
 | jantxv1n5535dur-1/tr | 55.0221 | | 7786 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5535dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 13.5 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||||||||
 | CD3155 | 21.9900 | | 3411 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD3155 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.4 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||
| cdll6263/tr | 21.6750 | | 4335 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | ショットキー | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6263/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 16 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2.2pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
| jantx1n4463us/tr | 14.5050 | | 3868 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4463us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 500 NA @ 4.92 v | 8.2 v | 3オーム | |||||||||||||||||||
 | jantxv1n6634cus | - | | 7908 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 v | 2オーム | ||||||||||||||||||
 | jans1n4119-1 | 33.7800 | | 7029 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 21.3 v | 28 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
| CD1A30 | 3.4050 | | 8964 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | ショットキー | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD1A30 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 600 mV @ 1 a | 100 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||||
| 1N5528/tr | 1.9950 | | 3852 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | 影響を受けていない | 150-1N5528/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 500 na @ 6.5 v | 8.2 v | |||||||||||||||||||
 | UZ8816 | 22.4400 | | 6619 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 1 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ8816 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 11.5 v | 16 v | 16オーム | |||||||||||||||||||
| CD6325 | 2.1014 | | 2810 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6325 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 1N5265bur-1/tr | 3.7400 | | 2938 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||||||||||
| 1n4620ur-1/tr | 3.1255 | | 1865年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C（タタ | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4620ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1.65オーム | |||||||||||||||||
 | 1N962a | 2.0700 | | 3533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N962 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | ||||||||||||||||
| CDS3029B-1 | - | | 7911 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS3029B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n969bur-1 | 6.5250 | | 1225 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5％ | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N969 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||||||
 | apt30d20bctg | 4.8000 | | 4392 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | APT30 | 標準 | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.3 V @ 30 a | 24 ns | 250 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
 | 1N5742C/TR | 3.4580 | | 1807 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5742C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 18 v | 45オーム | |||||||||||||||||
 | jantxv1n6491us | - | | 9958 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 500 NA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | |||||||||||||||||
 | 1N5365AE3/TR12 | 2.6250 | | 4683 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5365 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 v | 36 v | 11オーム | ||||||||||||||||
| Jan1n971bur-1 | 4.4400 | | 4335 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N971 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||||
| 1N5353E3/TR13 | 0.9900 | | 7582 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5353 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 11.5 v | 16 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
 | SMBJ4741AE3/TR13 | 0.4350 | | 5065 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4741 | 2 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||
| jan1n4464cus/tr | 26.9100 | | 3874 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jan1n4464cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 300 NA @ 5.46 v | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||||||||
 | 1n4736aur/tr | 3.2319 | | 9913 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1 W | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4736AUR/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||||||||
| UM4002SM | - | | 6230 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | sq-melf | - | - | 影響を受けていない | 150-UM4002SMTR | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 20 W | 3PF @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 200V | 500MOHM @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||
| GC4210-150A/TR | - | | 2792 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC4210-150A/TR | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V、1MHz | ピン -シングル | 100V | 1.5OHM @ 20MA、1GHz |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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