画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1n6026ur/tr | 3.7350 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6026ur/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 120 v | ||||||||||||||||
![]() | ST3060A | 63.3000 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | ST3060 | 標準 | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-ST3060A | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 30a | 5 µs | 25 µA @ 600 V | - | |||||||||||
Jan1n4618d-1 | 11.8350 | ![]() | 8441 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4618 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 1 V | 2.7 v | 1500オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n4627cur-1/tr | 24.4055 | ![]() | 2273 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4627cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||||
1N6315US/TR | 12.9941 | ![]() | 6121 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6315US/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20オーム | |||||||||||||
jans1n5619 | 67.0500 | ![]() | 5473 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/429 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 3 a | 250 ns | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | jantx1n6344dus/tr | 58.0500 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6344dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 52 v | 68 v | 155オーム | ||||||||||||||
![]() | jans1n4127dur-1 | 147.2700 | ![]() | 3988 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 42.6 v | 56 v | 300オーム | |||||||||||||
1N5274BE3 | 2.9260 | ![]() | 1389 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5274BE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 99 v | 130 v | 1100オーム | |||||||||||||
![]() | 40CDQ035 | 78.7200 | ![]() | 5144 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | ショットキー | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-40CDQ035 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 35 v | 700 mV @ 30 a | 1.5 mA @ 35 v | -65°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | cdll4679/tr | 3.0989 | ![]() | 9078 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4679/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 2 v | |||||||||||||
![]() | jantxv1n6642/tr | 10.3208 | ![]() | 2038 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/578 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6642/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.2 V @ 100 MA | 20 ns | 500 NA @ 100 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |||||||||||
![]() | 1N3910A | 48.5400 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3910 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 50 a | 200 ns | 15 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 50a | - | ||||||||||
Jan1n751d-1 | 6.4950 | ![]() | 9599 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N751 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n6941utk3as | - | ![]() | 8232 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | Thinkey™3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65°C〜175°C | 150a | 7500PF @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SMBG5353CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 9289 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5353 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 11.5 v | 16 v | 2.5オーム | |||||||||||
jantx1n6337c | 29.2350 | ![]() | 8829 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6337c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 27 V | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
1N4954US/TR | 7.4613 | ![]() | 6236 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4954US/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | |||||||||||||
![]() | 1N3595-1/TR | 2.7398 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N3595-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 1 Na @ 125 v | -65°C〜175°C | 150ma | - | ||||||||||
1N4965US/TR | 8.3125 | ![]() | 5573 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4965US/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 15.2 v | 20 v | 4.5オーム | |||||||||||||
![]() | 1N482B | 3.9300 | ![]() | 9818 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N482 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 100 MA | 25 Na @ 30 V | -65°C〜200°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | jan1n5520dur-1 | 46.2900 | ![]() | 8377 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5520 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n6777 | - | ![]() | 2878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-257-3 | 標準 | TO-257 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 800 mV | -65°C〜150°C | 15a | 300pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | CD754D | - | ![]() | 8186 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD754D | ear99 | 8541.10.0050 | 223 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | CD4687 | 2.3408 | ![]() | 3889 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4687 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | |||||||||||||
![]() | jantx1n6335 | 12.4350 | ![]() | 8668 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 23 V | 30 V | 32オーム | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT4131CE3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 8218 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4131 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5946/TR13 | 2.2200 | ![]() | 1496 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5946 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | |||||||||||
![]() | jan1n5529dur-1/tr | 41.1768 | ![]() | 3782 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5529dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n759a-1/tr | 1.9418 | ![]() | 5647 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n759a-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 10オーム |
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