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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jantx1n4572a-1/tr | 8.7000 |  | 9175 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4572a-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 v | 100オーム | |||||||||||
 | S504150TS | 158.8200 | | 2640 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S504150TS | 1 | |||||||||||||||||||||||
| jan1n2970rb | - | | 3888 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2970 | 10 W | do-213aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1.2オーム | |||||||||
 | jantxv1n3043d-1/tr | 32.2392 | | 9409 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3043d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 69.2 v | 91 v | 250オーム | ||||||||||
 | jantx1n6074/tr | 15.7350 | | 4791 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/503 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | a-pak | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n6074/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 2.04 V @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 850ma | - | ||||||||
 | 1N5921PE3/TR12 | 0.9150 | | 3020 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5921 | 1.5 w | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5オーム | |||||||||
| 1N3294AR | 103.2300 | | 6680 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 1N3294ARMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 200 a | 13 MA @ 800 v | -65°C〜200°C | 100a | - | ||||||||||
| 1N1347A | 45.3600 | | 8327 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1347 | 標準 | DO-4 （DO-203AA） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 16a | - | |||||||||
| CDLL6352 | 14.6400 | | 3736 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDLL6352 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| janhca1n4126d | - | | 4473 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4126d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 38.76 v | 51 v | 300オーム | |||||||||||
 | jan1n4461dus | 33.4500 | | 3582 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4461 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4.08 v | 6.8 v | 2.5オーム | |||||||||
 | jantx1n4113ur-1/tr | 8.5652 | | 3499 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n411333ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.5 v | 19 v | 150オーム | ||||||||||
| jantxv1n751aur-1 | 7.4850 | | 4409 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N751 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||
| jantxv1n3308b | - | | 4413 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 25 µA @ 6.1 v | 9.1 v | 0.5オーム | |||||||||||
| jantx1n4130dur-1 | 35.0100 | | 4735 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N4130 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | |||||||||
 | ues1103e3/tr | 15.9000 | | 1763 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | A 、軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-US1103E3/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 2 a | 25 ns | 2 µA @ 150 v | 175°C | 2.5a | - | ||||||||
| 1N1198R | 45.3600 | | 2357 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5（do-203ab） | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N1198R | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜200°C | 40a | - | ||||||||||
 | CD6318 | 2.1014 | | 5373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6318 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
 | 1 PMT5953AE3/TR7 | 0.7350 | | 3279 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5953 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 114 v | 150 v | 600オーム | |||||||||
| jan1n747cur-1/tr | 10.2410 | | 5054 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n747cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||
| UFR3120PF | 62.6700 | | 4091 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 （DO-203AA） | - | 影響を受けていない | 150-UFR3120PF | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 30 a | 50 ns | 15 µa @ 200 v | -65°C〜175°C | 30a | 115pf @ 10V、1MHz | |||||||||
 | Jan1n6635us | - | | 4813 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6635us | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 1 V | 4.3 v | 2オーム | |||||||||||
| jantxv1n4131c-1/tr | 20.6815 | | 2845 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4131c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | ||||||||||
 | Jan1n3822cur-1 | 35.5050 | | 8102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1N3822 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||
| jan1n6332d | 24.7800 | | 3081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6332d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 17 V | 22 v | 20オーム | |||||||||||
| CD4738 | 2.0700 | | 1205 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 1 W | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4738 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | |||||||||||
| 1 PMT4131C/TR7 | 1.2450 | | 4221 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4131 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 250オーム | |||||||||
| 1N5931A | 3.0300 | | 3478 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5931 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13.7 v | 18 v | 12オーム | ||||||||||
 | Jan1N4969 | 5.8950 | | 9855 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4969 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | ||||||||||
| 1N5272bur/tr | 3.7800 | | 1127 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-1N5272bur/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 250 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 84 v | 110 v | 750オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
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