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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
1 PMT5942BE3/TR13	0.7350	RFQ	7442	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5942		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 38.8 v						51 v	70オーム
CDLL4615	3.3000	RFQ	3878	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4615		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		2.5 µA @ 1 V						2 v	1250オーム
jantx1n3031dur-1	46.6950	RFQ	7514	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3031		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 22.8 v						30 V	40オーム
1N4943	6.4050	RFQ	4306	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-1N4943	ear99	8541.10.0080	1
cdll5272d/tr	8.5950	RFQ	8122	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll5272d/tr	ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 84 v						110 v	750オーム
1N6640US/TR	8.3790	RFQ	1941年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf d		標準		D-5d	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6640US/TR	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	75 v	1 V @ 200 mA	4 ns	100 Na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N827-1E3	6.2700	RFQ	3595	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N827-1E3	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
1N2840B	-	RFQ	7701	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2840		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µA @ 83.6 v						110 v	30オーム
jans1n6310	114.5850	RFQ	6916	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		60 µA @ 1 V						2.7 v	30オーム
1N5943PE3/TR8	0.9150	RFQ	5760	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5943		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 42.6 v						56 v	86オーム
Jan1n3821a-1	6.7650	RFQ	6819	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3821		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3.3 v	10オーム
CDLL4620	3.3600	RFQ	300	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4620		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 1.5 V						3.3 v	1650オーム
1N3338B	-	RFQ	9422	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3338		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µA @ 62.2 v						82 v	11オーム
jantx1n3039bur-1/tr	13.0739	RFQ	6898	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3039bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 47.1 v						62 v	125オーム
1N5194	8.1000	RFQ	4902	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5194	標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	70 v	1 V @ 100 MA		25 Na @ 70 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N4245	4.7250	RFQ	2281	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/286	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N4245	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	200 v	1.3 V @ 3 a	5 µs	1 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	-
CDLL5533B	6.4800	RFQ	2954	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5533		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 11.7 v						13 v	90オーム
MV30018-150A/TR	-	RFQ	8084	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-MV30018-150A/TR	ear99	8541.10.0040	1								3PF @ 4V、1MHz	シングル	22 v			6	C2/C20	2500 @ 4V、50MHz
jans1n5968cus	-	RFQ	9924	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		5 mA @ 4.28 v						5.6 v	1オーム
Jan1n2819rb	-	RFQ	1897	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2819		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		10 µA @ 16.7 v						22 v	2.5オーム
SMBJ4745/TR13	0.8700	RFQ	7367	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4745		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 12.2 v						16 v	16オーム
1N647/tr	1.6891	RFQ	4522	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N647/tr	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	400 V	1 V @ 400 Ma			-	-	-
jantxv1n2808rb	-	RFQ	5002	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2808		25 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		25 µA @ 6.7 v						10 v	0.6オーム
Jan1n978d-1/tr	5.8919	RFQ	4941	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n978d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 39 v						51 v	125オーム
JANTX1N3912R	-	RFQ	1273	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/308	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	300 V	1.4 V @ 50 a	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
jantx1n978b-1	3.4350	RFQ	8966	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N978		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 39 v						51 v	125オーム
1N5944BP/TR8	1.8900	RFQ	1415	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5944		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 47.1 v						62 v	100オーム
1N5927B	3.0300	RFQ	2808	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.25 w	DO-41	-			影響を受けていない	1N5927BMS	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム
jantxv1n4981us/tr	16.1250	RFQ	7935	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jantxv1n4981us/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 69.2 v						91 v	90オーム
Jan1n6642u	7.7800	RFQ	5654	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf d	1N6642	標準		D-5d	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns	75 v	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²