画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantx1n758cur-1/tr | 9.8021 | ![]() | 3971 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n758cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5731B | 1.8600 | ![]() | 3688 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5731 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | 1N3292a | 93.8550 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 1N3292 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3292ams | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.1 V @ 200 a | 200 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | 1 PMT4132C/TR7 | 1.2450 | ![]() | 2197 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4132 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.32 v | 82 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5933AE3/TR13 | - | ![]() | 2192 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5933 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16.7 v | 22 v | 17.5オーム | |||||||||||
![]() | jantxv1n4120cur-1 | 28.8000 | ![]() | 6839 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4120 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | 200オーム | |||||||||||
![]() | 1N3624 | 44.1600 | ![]() | 2192 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | - | 影響を受けていない | 150-1N3624 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 3 µs | 100 µA @ 1000 V | -65°C〜200°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | 1N3665 | 41.6850 | ![]() | 9438 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-208aa | 標準 | DO-21 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3665 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 35 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||||||||||
![]() | 1N4758AE3/TR13 | 0.8700 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4758 | 1 W | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | |||||||||||
![]() | 1N2992B | - | ![]() | 7563 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N2992 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 29.7 v | 39 v | 11オーム | |||||||||||
jantx1n4991dus | 69.6900 | ![]() | 7772 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 182 v | 240 v | 650オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4117/tr | 2.3408 | ![]() | 3280 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4117/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 19 v | 25 v | 150オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4615E3 | 2.9850 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N4615E3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 2 v | 1250オーム | |||||||||||||
JANTX1N5541D-1 | 21.9150 | ![]() | 6303 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5541 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 19.8 v | 22 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | 1N2840A | 94.8900 | ![]() | 1301 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2840 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 83.6 v | 110 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | jans1n6354cus | - | ![]() | 3185 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 137 v | 180 v | 1500オーム | |||||||||||||
1N4728AUR | 3.4650 | ![]() | 7228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N4728 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10オーム | ||||||||||||
CDLL5239B | 2.8650 | ![]() | 7875 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5239 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5366C/TR8 | 3.3900 | ![]() | 9070 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5366 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 28.1 v | 39 v | 14オーム | |||||||||||
![]() | CDS976B-1 | - | ![]() | 5341 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS976B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6674r | - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/617 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 1N6674 | 標準 | TO-254AA | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 15a | 1.55 V @ 20 a | 35 ns | 5 ma @ 400 v | - | |||||||||
![]() | APT2X30D20J | 20.8000 | ![]() | 5925 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | Apt2x30 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 200 v | 30a | 1.3 V @ 30 a | 24 ns | 250 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | |||||||||
![]() | SMBG5349B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 3931 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5349 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 8.6 v | 12 v | 2.5オーム | |||||||||||
jans1n6350us | 164.8650 | ![]() | 3855 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 113 v | 600オーム | ||||||||||||||
![]() | jans1n4104cur-1/tr | 91.5802 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4104cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | JANKCA1N4131D | - | ![]() | 5073 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4131d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | |||||||||||||
![]() | UES806 | 76.2600 | ![]() | 7961 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | UES806 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 50 a | 50 ns | 70 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||||||||
![]() | 1 PMT5954B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 2014年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5954 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 121.6 v | 160 v | 700オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n4120ur-1/tr | 8.5652 | ![]() | 8618 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4120ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | 200オーム | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5932CE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 2797 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5932 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム |
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