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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
jans1n7050-1/tr	153.2700	RFQ	3879	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n7050-1/tr	ear99	8541.10.0050	1
UPS5817E3/TR7	0.5000	RFQ	3164	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-216AA	UPS5817	ショットキー		パワーマイト1（do216-aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns			20 v		450 mV @ 1 a		1 mA @ 20 v	-55°C〜150°C	1a	-
1N6621	13.3200	RFQ	6328	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N6621	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns			440 v		1.4 V @ 1.2 a	30 ns	500 NA @ 440 v	-65°C〜150°C	1.2a	10pf @ 10V、1MHz
S42120A	102.2400	RFQ	3137	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	-			影響を受けていない	150-S42120A	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns			1200 v		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65°C〜200°C	125a	-
jantx1n975b-1	2.5950	RFQ	8321	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N975		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V						39 v	80オーム
1 PMT5931/TR13	2.2200	RFQ	2600	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5931		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 13.7 v						18 v	12オーム
jantxv1n304444444bur-1/tr	16.1196	RFQ	5993	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANTXV1N3044444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v						100 V	350オーム
LSM545GE3/TR13	0.7500	RFQ	1774	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	LSM545	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns			45 v		520 mV @ 5 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	5a	-
APTDF400AA170G	212.9600	RFQ	1987年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	LP4	APTDF400	標準		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1ペア共通アノード	1700 v	480a	2.5 V @ 400 a	572 ns	750 µA @ 1700 v
jan1n6642ubcc	23.9400	RFQ	8547	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N6642	標準		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns			75 v		1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5PF @ 0V、1MHz
BZV55C22/TR	2.7664	RFQ	4095	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-BZV55C22/TR	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 15.4 v						22 v
jantxv1n4132c-1	23.1600	RFQ	3607	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4132		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 62.4 v						82 v	800オーム
UES802	65.9400	RFQ	3375	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		DO-5	-	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない	2266-US802	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns			100 V		975 mV @ 70 a	50 ns		175°C （最大）	70a	-
MSCDC50X1201AG	139.6500	RFQ	1966年年	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCDC50	シリコンカーバイドショットキー		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCDC50X1201AG	ear99	8541.10.0080	1						1.8 V @ 50 a		200 µA @ 1200 v		50 a		3フェーズ	1.2 kv
jantxv1n6767	-	RFQ	7295	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-254-3		標準		TO-254	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns			600 V		1.55 V @ 12 a	60 ns	10 µA @ 480 v	-	12a	300pf @ 5V、1MHz
jantxv1n5196	-	RFQ	8232	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/118	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			225 v		1 V @ 100 MA		1 µA @ 250 v	-65°C〜175°C	100mA	-
JANTX1N5521B-1	6.5600	RFQ	57	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5521		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1.5 v						4.3 v	18オーム
1N5522B	1.9200	RFQ	5271	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5522		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						4.7 v	22オーム
1N4462	8.8651	RFQ	7022	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4462		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		1 µA @ 4.5 v						7.5 v	2.5オーム
UM6001A	-	RFQ	1554	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-		軸				軸	-			影響を受けていない	150-UM6001ATR	ear99	8541.10.0060	1		6 W									0.5pf @ 100V、1MHz	ピン -シングル	100V			1.7OHM @ 100MA 、100MHz
UPS170E3/TR13	0.4800	RFQ	7695	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					UPS170				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,000
jantx1n6331us	18.0900	RFQ	9189	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6331		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		50 Na @ 15 V						20 v	18オーム
CDLL3033A	15.3000	RFQ	1234	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3033		1 W	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 27.4 v						36 v	50オーム
jantxv1n6643	10.7700	RFQ	7007	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ			穴を通して	d 、軸	1N6643	標準		D-5d	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns			75 v		1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5PF @ 0V、1MHz
CDLL4957	11.1450	RFQ	1359	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDLL4957	ear99	8541.10.0050	1
jantxv1n5518cur-1/tr	44.0363	RFQ	7361	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5518cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						3.3 v	26オーム
APT2X61D120J	32.7800	RFQ	20	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	Apt2x61	標準		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		2独立	1200 v	53a	2.5 V @ 60 a	400 ns	250 µA @ 1200 V
1N4449	-	RFQ	1160	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			75 v		1 V @ 30 mA	4 ns	25 Na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
1N6625E3	-	RFQ	1293	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns			1100 v		1.95 V @ 1.5 a	80 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	-
jantx1n4971us	9.9000	RFQ	8953	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4971		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 27.4 v						36 v	11オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²