画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBJ5351AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5351 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 10.1 v | 14 v | 2.5オーム | |||||||||
![]() | jantxv1n6341dus | 68.5500 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6341dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 39 v | 51 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | 1N5919CPE3/TR12 | 1.2000 | ![]() | 4299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5919 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 2オーム | |||||||||
![]() | DSB5822/tr | - | ![]() | 5384 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | ショットキー | B 、D-5D | - | 影響を受けていない | 150-dsb5822/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||
JANTX1N3828C-1 | 21.9600 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3828 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | ||||||||||
![]() | APTDF400U120G | 105.9800 | ![]() | 801 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF400 | 標準 | LP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.5 V @ 500 a | 110 ns | 2.5 mA @ 1200 v | 450A | - | ||||||||
![]() | cdll5539/tr | 5.9052 | ![]() | 4963 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5539/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16 V | 19 v | 100オーム | ||||||||||
Jan1N4496 | 9.6150 | ![]() | 1757 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4496 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | ||||||||||
![]() | 1N4987US/TR | 13.1100 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム | |||||||||||||
![]() | UFS520G/TR13 | 4.1400 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | UFS520 | 標準 | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 5 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 5a | - | |||||||
jans1n5809us | 42.7650 | ![]() | 1370 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
jans1n4486dus | 330.2550 | ![]() | 5304 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4486dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 60 v | 75 v | 130オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n5711ubd | 120.5850 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | ショットキー | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65°C〜150°C | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
jans1n827-1 | 166.5750 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N729A | 1.9200 | ![]() | 1010 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N729 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 43 v | 84オーム | |||||||||||
![]() | SMBG5345CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 3348 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5345 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 6.25 v | 8.7 v | 2オーム | |||||||||
1N5246A | 3.2250 | ![]() | 2972 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5246 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 11.4 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5950B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5950 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 83.6 v | 110 v | 300オーム | |||||||||
![]() | CDLL5273D | 8.4150 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AA | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5273D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 86 v | 120 v | 900オーム | ||||||||||||
CDLL5248A | 2.8650 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5248 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | ||||||||||
![]() | jans1n6345dus | 527.5650 | ![]() | 4317 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6345dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 56 v | 75 v | 180オーム | |||||||||||
jantx1n4468 | 12.4050 | ![]() | 5192 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4468 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||
![]() | jans1n4104dur-1 | 147.2700 | ![]() | 1124 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | JANTX1N6873UTK2AS | 413.4000 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/469 | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™2 | 標準 | Thinkey™2 | - | 影響を受けていない | 150-JANTX1N6873UTK2AS | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 1 V @ 400 Ma | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||||||||
![]() | CDLL4716C | 5.9185 | ![]() | 1901年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL4716C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 29.8 v | 39 v | |||||||||||
![]() | 1N5992A | 1.9950 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5992 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 90オーム | |||||||||
![]() | cdll5243a/tr | 2.7132 | ![]() | 3686 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5243a/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||
JANKCA1N4569A | - | ![]() | 3901 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n4569a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n4134ur-1 | 9.4950 | ![]() | 8972 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4134 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.2 v | 91 v | 1200オーム | |||||||||
![]() | 1N4992US/TR | 16.4800 | ![]() | 8833 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 206 v | 270 v | 800オーム |
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