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ダイオード（ 1956年）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX884-C3V6,315 | 0.0300 |  | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,606 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||
 | BZX284-C15,115 | - | | 6649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 15オーム | ||||||||||||
 | BZX585-B10,115 | 0.0300 | | 8770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | ||||||||||||||||
 | BZV55-C15,115 | - | | 4209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55-C15 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||||
 | NZX3V9A 、133 | 0.0200 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
 | PLVA665A 、215 | - | | 3040 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PLVA6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
 | PZM15NB1,115 | - | | 3874 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM15 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 11 v | 15 V | 15オーム | ||||||||||||
| BZV90-C10115 | 1.0000 | | 6616 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PMLL4148L 、115 | 0.0200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMLL4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||
| BZX79-C15,143 | - | | 3946 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-C22,215 | 0.0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| PZU7.5B2A115 | - | | 6880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| PZU18B2L315 | 0.0300 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,764 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C9V1,235 | 1.0000 | | 3260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | ||||||||||||||||
| BZX84-C47/LF1VL | - | | 7465 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C47 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069483235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||
| BZX84-B68,215 | 0.0200 | | 236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| PZM10NB3,115 | - | | 4601 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM10 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | ||||||||||||
| BZB84-B7V5,215 | 0.0300 | | 1543 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||||||
 | nzh4v7b、115 | - | | 8181 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C75,133 | 0.0300 | | 75 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 53 v | 75 v | 225オーム | ||||||||||||||||
| BAS40-05,215 | - | | 9238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS40 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| BAS316/DLT115 | 1.0000 | | 6401 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| NZX8V2A 、133 | 0.0200 | | 8367 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 20オーム | ||||||||||||||||
| NZH30C 、115 | 0.0300 | | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| PZM12NB2A 、115 | - | | 3895 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | PZM12 | 220 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 na @ 9 v | 12 v | 10オーム | ||||||||||||
 | bat54c/dg 215 | - | | 4836 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、BAT54 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 30 V | 200MA （DC） | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C （最大） | ||||||||||
 | BYV25X-600,127 | 1.0000 | | 4610 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 5 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 5a | - | ||||||||||||||
 | 1N4148,133 | - | | 8381 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | カットテープ（CT） | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4148 | 標準 | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | - | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
 | bav23,215 | 0.0400 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | bav2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-A5V6,215 | - | | 4923 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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15,000 m2
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