画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS16L/S500315 | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS16 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B9V1,215 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B5V1/LF1R | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-B5V1 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934069409215 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||||
![]() | nzx9v1e、133 | 0.0200 | ![]() | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX9 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | nzx8v2c、133 | 0.0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX8 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ13B 、135 | 1.0000 | ![]() | 8538 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 400 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C7V5,113 | 0.0200 | ![]() | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4743a、133 | 0.0400 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C36,115 | - | ![]() | 5594 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C62,133 | 0.0200 | ![]() | 281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | PZM3.0NB2,115 | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.0 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1PS226,135 | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 1ps22 | 標準 | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 80 v | 215ma dc) | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||
![]() | BZX884-B5V6315 | 1.0000 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-06,215 | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS40 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW62,113 | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAW62 | 標準 | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200°C (最大) | 250ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | NZX3V6B 、133 | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C27,215 | 0.0200 | ![]() | 6165 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,392 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C68,115 | - | ![]() | 2152 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 160オーム | |||||||||||||||||
![]() | byd17k 、135 | - | ![]() | 4686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-87 | byd17 | 雪崩 | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.05 V @ 1 a | 3 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 21pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | PZM3.0NB 、115 | - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.0 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||
![]() | bav103/s500,115 | - | ![]() | 4024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | bav10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934064937115 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914B 、113 | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N91 | 標準 | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZB84-C6V8,215 | 0.0200 | ![]() | 3639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 5,900 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005AESF315 | 0.0300 | ![]() | 954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB189,315 | - | ![]() | 3235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BB18 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934054825315 | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 2.18pf @ 25V、1MHz | シングル | 32 v | 6.3 | C2/C25 | - | ||||||||||||||||
![]() | BZB84-C36,215 | 1.0000 | ![]() | 3141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | NZH24C 、115 | - | ![]() | 6728 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU11B2,115 | - | ![]() | 2296 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10B 、133 | 0.0200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX20C 、133 | 0.0200 | ![]() | 91 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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