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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
1N4730A,113 NXP USA Inc. 1N4730A 、113 0.0400
RFQ
ECAD 91 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1N47 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000
BZV90-C15,115 NXP USA Inc. BZV90-C15,115 0.1700
RFQ
ECAD 59 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV90 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000
BZB84-C47,215 NXP USA Inc. BZB84-C47,215 0.0200
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZB84 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
1PS59SB14,115 NXP USA Inc. 1PS59SB14,115 -
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 1ps59 ショットキー SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 200MA (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°C (最大)
PZU10B1,115 NXP USA Inc. PZU10B1,115 -
RFQ
ECAD 3609 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU10 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BB149A,115 NXP USA Inc. BB149a 、115 -
RFQ
ECAD 2741 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜125°C(TJ) 表面マウント SC-76、SOD-323 BB14 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 2.225PF @ 28V、1MHz シングル 30 V 10.9 C1/C28 -
BZX84-C30/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C30/LF1R -
RFQ
ECAD 8287 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84-C30 250 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934069459215 ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 18.9 v 30 V 80オーム
NZX30A,133 NXP USA Inc. NZX30A 、133 -
RFQ
ECAD 7476 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX3 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BAS16GW118 NXP USA Inc. BAS16GW118 -
RFQ
ECAD 9431 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAS16 ダウンロード 0000.00.0000 1
BZX84-C8V2,235 NXP USA Inc. BZX84-C8V2,235 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BZX884-C6V8315 NXP USA Inc. BZX884-C6V8315 -
RFQ
ECAD 8846 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BZX585-B4V3135 NXP USA Inc. BZX585-B4V3135 0.0300
RFQ
ECAD 4668 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 300 MW SOD-523 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 6,580 1.1 V @ 100 MA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
PMEG3005EL,315 NXP USA Inc. PMEG3005EL 、315 -
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG3005 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000
BZX84-B39/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B39/LF1R -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84-B39 250 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934069401215 ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 27.3 v 39 v 130オーム
BZV90-C43,115 NXP USA Inc. BZV90-C43,115 0.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SOT-223 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1,745 1 V @ 50 mA 50 Na @ 30.1 v 43 v 150オーム
PZU13B3,115 NXP USA Inc. PZU13B3,115 -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU13 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX79-B51143 NXP USA Inc. BZX79-B51143 -
RFQ
ECAD 4589 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZV55-C20,115 NXP USA Inc. BZV55-C20,115 0.0200
RFQ
ECAD 270 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
NZX9V1D,133 NXP USA Inc. NZX9V1D 、133 0.0200
RFQ
ECAD 178 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX9 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BAS40-04W,115 NXP USA Inc. BAS40-04W 、115 -
RFQ
ECAD 7743 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAS40 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
PMEG2002ESF,315 NXP USA Inc. PMEG2002ESF 、315 0.0400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 0201 (0603 メトリック) ショットキー DSN0603-2 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 20 v 490 mV @ 100 Ma 1.9 ns 3.5 µA @ 20 V 125°C (最大) 200mA 25pf @ 1V、1MHz
BZX884-C10/S500315 NXP USA Inc. BZX884-C10/S500315 0.0200
RFQ
ECAD 839 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 10,000
BZV55-B20,115 NXP USA Inc. BZV55-B20,115 0.0200
RFQ
ECAD 43 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
BAW101S,115 NXP USA Inc. BAW101S 、115 0.0300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAW10 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BZX384-B56,115 NXP USA Inc. BZX384-B56,115 0.0200
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX384 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU3.9B,115 NXP USA Inc. PZU3.9B 、115 -
RFQ
ECAD 9985 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU3.9 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX884-B13315 NXP USA Inc. BZX884-B13315 0.0300
RFQ
ECAD 6144 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 8,250 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 10オーム
BZV90-C75,115 NXP USA Inc. BZV90-C75,115 0.1600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SOT-223 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 52.5 v 75 v 255オーム
PZU16B1A115 NXP USA Inc. PZU16B1A115 -
RFQ
ECAD 7797 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント SC-76、SOD-323 PZU16 320 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 50 na @ 12 v 16 v 20オーム
PZU6.8B2115 NXP USA Inc. PZU6.8B2115 1.0000
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 310 MW SOD-323F - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1 1.1 V @ 100 MA 500 na @ 3.5 v 6.8 v 20オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫