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ダイオード（ 1956年）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-C7V5/LF1VL | - |  | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C7V5 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069506235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||
 | BZV55-B16,115 | 0.0200 | | 431 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||||||
 | BZX84-B22/DG/B3215 | 0.0200 | | 114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
 | BYV25FD-600,118 | 0.3200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 944 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 5a | - | ||||||||||||||
 | PZM2.7NB 115 | - | | 5936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM2.7 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | ||||||||||||
 | BZX79-B30,113 | 0.0200 | | 7052 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||
 | BZX384-B20,115 | 0.0200 | | 775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
 | PZU5.6BA115 | - | | 5049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54A/6235 | 0.0300 | | 210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、BAT54 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 30 V | 200MA （DC） | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C （最大） | ||||||||||
 | BYC5D-500,127 | 0.2900 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 760 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150°C （最大） | 5a | - | ||||||||||||||
 | BZX79-B8V2,133 | 0.0200 | | 163 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||
 | BZB84-B51,215 | 0.0300 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||||||
 | BAS56/DG/B2235 | 0.0400 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-B9V1/DG/B3215 | 0.0200 | | 8574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | |||||||||||||||||||||||
 | PZM2.4NB 、115 | - | | 5254 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM2.4 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||
| BZX84-C10/LF1VL | - | | 9060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C10 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069416235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | |||||||||||
 | 1PS70SB10,115 | 0.0300 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1ps70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V3/LF1R | - | | 4827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C3V3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069473215 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||
| BAS321/ZLX | - | | 6818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BAS32 | 標準 | SOD-323 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | 150°C （最大） | 250ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
 | BZT52H-B15,115 | 0.0200 | | 71 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C（Ta） | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 15オーム | |||||||||||||||
 | BZV55-B8V2,115 | - | | 3231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||
| BAS70-05235 | 0.0200 | | 26 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | BAS70 | ショットキー | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||||
| BZX84-B15/LF1VL | - | | 9433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-B15 | 250 MW | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069392235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||
 | BAS116T 、115 | - | | 2965 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | BAS11 | 標準 | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150°C （最大） | 215ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
 | 1N4745a 、133 | 0.0400 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||||||
| BZX84-C8V2/DG/B3235 | 0.0200 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
 | BAS70VV115 | - | | 2735 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-C6V2/DG/B3235 | 0.0200 | | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
 | bat54xy125 | - | | 3419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAT54 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 2,700 | |||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B33,115 | - | | 8464 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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15,000 m2
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