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ダイオード（ 1956年）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDZ15B/S911115 | 0.0200 |  | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | |||||||||||||
 | BZX79-B62,113 | 0.0200 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | ||||||
 | BZT52-C33115 | 1.0000 | | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | BZT52 | バルク | アクティブ | ±6.06％ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 40オーム | ||
 | BZX84-C3V6/DG/B3215 | 0.0200 | | 156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
| BZX84-A4V7/DG/B3215 | 0.1800 | | 164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
 | PMEG2005ESF315 | 0.0400 | | 459 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 8,435 | |||||||||||||
| PDZ4.3B145 | 0.0200 | | 120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||
| BZX585-C4V3135 | 1.0000 | | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | - | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||
| PZU3.0B2A115 | 1.0000 | | 5060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | BZX84J-C2V4115 | 0.0300 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,823 | ||||||||||||||||
 | BZX79-C9V1,113 | 0.0200 | | 180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||
| BZX84J-B3V6,115 | - | | 5658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||
| BZV85-C12,133 | - | | 2768 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||
| BZX79-B7V5133 | - | | 8113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
 | BZX84-B43,215 | 0.0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||
| BZB84-C22,215 | - | | 3508 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||
 | BZX585-C22,115 | 0.0300 | | 329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
| BZV49-C18,115 | - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||
 | BZX84-C33,215 | 1.0000 | | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | |||||||
 | BZX384-C22,115 | - | | 7085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||
 | PZU24B3A 、115 | 0.0300 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | ||||||
 | BZX79-B24143 | 0.0200 | | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
 | BZX884-B36,315 | - | | 7820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||
 | PZU9.1b 、115 | - | | 3096 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU9.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
| PZU15B 、115 | 0.0300 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
| PZU4.3B3,115 | 0.0400 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU4.3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
 | NZH22C 、115 | - | | 6433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
| PMEG050V150EPD146 | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | |||||||||||||
 | BZX79-B3V3,133 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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