RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（545）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f	電流に結合された電圧 - @ vr	電圧に結合された電流-worward vf ）（ max @ if
BB156,135	-	RFQ	1505	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323				SOD-323	-	2156-BB156,135			1											5.4pf @ 7.5V、1MHz	シングル	10 v			3.9	C1/C7.5	-
PMEG2010AEJ 、115	-	RFQ	3718	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-90、SOD-323F		ショットキー		SOD-323F	-	2156-PMEG2010AEJ 115			1		高速回復= <500ns		20 v		550 mV @ 1 a		70 µA @ 20 V	150°C	1a	40pf @ 1V、1MHz
PMEG6030ETPX	-	RFQ	2481	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOD-128		ショットキー		SOD-128/CFP5	-	2156-PMEG6030ETPX			1		高速回復= <500ns		60 V		530 mv @ 3 a	12 ns	200 µA @ 60 V	175°C	3a	360pf @ 1V、1MHz
BZX79-C16,133	-	RFQ	3155	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-C16		400 MW	ALF2	ダウンロード			0000.00.0000	1						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 11.2 v						16 v	40オーム
BZX585-C51,115	1.0000	RFQ	8366	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX585-C51		300 MW	SOD-523	ダウンロード			0000.00.0000	1						1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 35.7 v						51 v	180オーム
PDZ3.9BGW、115	1.0000	RFQ	4316	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		ear99	8541.10.0050	1
PZU20B2A 、115	-	RFQ	5308	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323			320 MW	SOD-323	ダウンロード			0000.00.0000	1						1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 15 V						20 v	20オーム
BZB84-B12,215	-	RFQ	2966	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						12 v	25オーム
PMEG3002AEL315	-	RFQ	5787	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOD-882	PMEG3002	ショットキー		DFN1006-2	ダウンロード			0000.00.0000	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		480 mV @ 200 Ma		50 µA @ 30 V	150°C （最大）	200mA	25pf @ 1V、1MHz
BZV85-C43,133	-	RFQ	7382	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.3 w	DO-41	ダウンロード			0000.00.0000	1						1 V @ 50 mA		50 Na @ 30 V						43 v	75オーム
BZB84-B13,215	-	RFQ	5137	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-B13		300 MW	TO-236AB	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						13 v	30オーム
PMEG2015EA115	-	RFQ	9032	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323		ショットキー		SOD-323	ダウンロード		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		20 v		660 mV @ 1.5 a		50 µA @ 15 V	-65°C〜125°C	1.5a	25pf @ 5v、1MHz
BZX79-B8V2,113	0.0200	RFQ	130	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード		ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		700 na @ 5 v						8.2 v	15オーム
BAW56,215	-	RFQ	2043	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAW56	標準		SOT-23	ダウンロード			0000.00.0000	1		高速回復= <500ns	1ペア共通アノード		215ma dc）	1.25		500	150°C （最大）										80	150
PMEG2002AESFB 、315	-	RFQ	2666	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		ear99	8541.10.0070	1
BZX884-B27315	0.0300	RFQ	479	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		ear99	8541.10.0050	1
BZX84-A30,215	-	RFQ	3818	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード			0000.00.0000	1						900 mV @ 10 Ma		50 NA @ 700 mV						30 V	80オーム
BZV90-C30,115	1.0000	RFQ	9642	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BZV90-C30		1.5 w	SOT-223	ダウンロード			0000.00.0000	1						1 V @ 50 mA		50 Na @ 21 V						30 V	80オーム
BZB84-B3V9,215	-	RFQ	1884年	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-B3V9		300 MW	TO-236AB	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム
BZB84-C62,215	1.0000	RFQ	8473	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-C62		300 MW	TO-236AB	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 43.4 v						62 v	215オーム
BZX884-C13,315	-	RFQ	7950	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	BZX884-C13		250 MW	DFN1006-2	ダウンロード			0000.00.0000	1						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						13 v	10オーム
BZB84-C51,215	1.0000	RFQ	2995	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 35.7 v						51 v	180オーム
BZB84-C2V4,215	-	RFQ	2536	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-C2V4		300 MW	TO-236AB	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V						2.4 v	100オーム
BZX79-B43,133	-	RFQ	4691	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-B43		400 MW	ALF2	ダウンロード			0000.00.0000	1						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 30.1 v						43 v	150オーム
BZB784-C5V6,115	-	RFQ	5706	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	SC-70、SOT-323			350 MW	SOT-323	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
BZB84-B18,215	-	RFQ	4081	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-B18		300 MW	TO-236AB	ダウンロード			0000.00.0000	1	1ペア共通アノード					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 12.6 v						18 v	45オーム
PMEG4005EGW 、118	1.0000	RFQ	2203	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード			0000.00.0000	1
BZX79-B36,143	0.0200	RFQ	123	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード		ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 25.2 v						36 v	90オーム
BAS70-07V 、115	-	RFQ	9923	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOT-563、SOT-666	BAS70	ショットキー		SOT-666	ダウンロード			0000.00.0000	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	2独立	70 v	70ma	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）
PZU6.2B2L 、315	1.0000	RFQ	3739	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	PZU6.2		250 MW	DFN1006-2	ダウンロード			0000.00.0000	1						1.1 V @ 100 MA		500 NA @ 3 V						6.2 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²