画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX884-C16,315 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-BZX884-C16,315-954 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||
![]() | BZB84-B4V3215 | - | ![]() | 4379 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | TO-236AB | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-BZB84-B4V3215-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||
![]() | BZX384-B4V7,115 | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX384-B4V7,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||
![]() | BZX79-C75143 | 0.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C62,115 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZT52H-C62,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 140オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫