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ダイオード（545）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
NZH6V8B,115 NXP Semiconductors NZH6V8B 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±3％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123F 500 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-nzh6v8b、115-954 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 3.5 v 6.8 v 8オーム
BZB84-C15,215 NXP Semiconductors BZB84-C15,215 1.0000
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 300 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZB84-C15,215-954 ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 10.5 v 15 V 30オーム
NZX14C,133 NXP Semiconductors NZX14C、133 0.0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ 175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-NZX14C、133-954 1 1.5 V @ 200 mA 50 Na @ 9.8 v 14 v 35オーム
BZX585-C20,115 NXP Semiconductors BZX585-C20,115 1.0000
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 300 MW SOD-523 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX585-C20,115-954 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
BZV49-C2V4,115 NXP Semiconductors BZV49-C2V4,115 0.1600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-243AA 1 W SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV49-C2V4,115-954 1 1 V @ 50 mA 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
BZV85-C4V3,113 NXP Semiconductors BZV85-C4V3,113 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV85-C4V3,113-954 1 1 V @ 50 mA 5 µA @ 1 V 4.3 v 13オーム
NZX9V1C,133 NXP Semiconductors nzx9v1c、133 -
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-nzx9v1c、133-954 1 1.5 V @ 200 mA 500 NA @ 6 V 9.1 v 20オーム
1N4728A,113 NXP Semiconductors 1N4728A 、113 0.0300
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-1N4728a 、113-954 1
BZX84J-B51,115 NXP Semiconductors BZX84J-B51,115 -
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SOD-323F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84J-B51,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 35.7 v 51 v 110オーム
NZH10C,115 NXP Semiconductors NZH10C 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±3％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123F 500 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-NZH10C、115-954 1 900 mV @ 10 Ma 200 Na @ 7 V 10 v 8オーム
BZT52H-B68,115 NXP Semiconductors BZT52H-B68,115 -
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C（Ta） 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZT52H-B68,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 47.6 v 68 v 160オーム
PDZ3.6B,115 NXP Semiconductors PDZ3.6b 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 400 MW SOD-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDZ3.6B 、115-954 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
PZU20B2,115 NXP Semiconductors PZU20B2,115 0.0300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 310 MW SOD-323F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PZU20B2,115-954 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 15 V 20 v 20オーム
BZT52H-C22,115 NXP Semiconductors BZT52H-C22,115 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C（Ta） 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZT52H-C22,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 15.4 v 22 v 25オーム
BZV55-B5V1,115 NXP Semiconductors BZV55-B5V1,115 0.0200
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW llds;ミニフル ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV55-B5V1,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
BZX79-C13,133 NXP Semiconductors BZX79-C13,133 0.0200
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-C13,133-954 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
BZX84J-C47,115 NXP Semiconductors BZX84J-C47,115 -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SOD-323F ダウンロード 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 32.9 v 47 v 90オーム
PNS40010ER,115 NXP Semiconductors PNS40010ER 、115 -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123W 標準 SOD-123W - 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PNS40010ER 、115-954 1 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 400 V 175°C （最大） 1a 20pf @ 4V、1MHz
BAV102,115 NXP Semiconductors bav102,115 0.0300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 llds;ミニフル ダウンロード 影響を受けていない 2156-BAV102,115-954 11,357 高速回復= <500ns 150 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 150 V 175°C （最大） 250ma 5PF @ 0V、1MHz
PDZ2.7B,115 NXP Semiconductors PDZ2.7B 、115 -
RFQ
 ECAD 2481 0.00000000 NXP半導体 PDZ-B バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 400 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDZ2.7B 、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
PZU4.3B2A,115 NXP Semiconductors PZU4.3B2A 、115 -
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU4.3B2A 、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
BZV85-C62,113 NXP Semiconductors BZV85-C62,113 0.0400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV85-C62,113-954 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 43 v 62 v 175オーム
PZU7.5B3A,115 NXP Semiconductors PZU7.5B3A 、115 -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU7.5B3A 、115-954 1 1.1 V @ 100 MA 500 NA @ 4 V 7.5 v 10オーム
BZT52H-C68,115 NXP Semiconductors BZT52H-C68,115 0.0200
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C（Ta） 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZT52H-C68,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 47.6 v 68 v 160オーム
BZV85-C75,113 NXP Semiconductors BZV85-C75,113 0.0300
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV85-C75,113-954 ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 53 v 75 v 225オーム
PZU9.1BL,315 NXP Semiconductors PZU9.1BL 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PZU9.1BL 、315-954 1 1.1 V @ 100 MA 500 NA @ 6 V 9.1 v 10オーム
BZV55-B10,115 NXP Semiconductors BZV55-B10,115 0.0200
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW llds;ミニフル ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV55-B10,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 200 Na @ 7 V 10 v 20オーム
BZX79-B8V2,143 NXP Semiconductors BZX79-B8V2,143 0.0200
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-B8V2,143-954 1 900 mV @ 10 Ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15オーム
BAS35,215 NXP Semiconductors BAS35,215 0.0400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BAS35,215-954 ear99 8541.10.0070 1
PMEG4005EGWJ NXP Semiconductors PMEG4005EGWJ -
RFQ
 ECAD 1938年年 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 ショットキー SOD-123 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMEG4005EGWJ-954 ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 40 v 470 mV @ 500 Ma 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 43pf @ 1V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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